产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),83A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB056N10NN3GXUMA1
仓库库存编号:
BSB056N10NN3GXUMA1CT-ND
别名:BSB056N10NN3 GCT
BSB056N10NN3 GCT-ND
BSB056N10NN3GXUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 模具
型号:
EPC2016C
仓库库存编号:
917-1080-1-ND
别名:917-1080-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 145A(Tc) 3250W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM65SAG
仓库库存编号:
APTM100UM65SAG-ND
别名:APTM100UM65SAGMI
APTM100UM65SAGMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Rohm Semiconductor
1.2V DRIVE PCH MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 150W(Tc) EMT3F(SOT-416FL)
型号:
RE1C002ZPTL
仓库库存编号:
RE1C002ZPTLCT-ND
别名:RE1C002ZPTLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.7A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6614TRPBF
仓库库存编号:
IRF6614TRPBFCT-ND
别名:IRF6614TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.3A(Tc) 83W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R400CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R400CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R400CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXKR25N80C
仓库库存编号:
IXKR25N80C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 28W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA65R650CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R650CEXKSA1-ND
别名:SP001295804
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 580A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 580A(Tc) 2270W(Tc) SP6
型号:
APTM20UM03FAG
仓库库存编号:
APTM20UM03FAG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 6V 1.8A 8MSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 568mW(Ta) SOT-143
型号:
MIC94051YM4-TR
仓库库存编号:
MIC94051YM4-TR-ND
别名:MIC94051YM4 TR
MIC94051YM4 TR-ND
MIC94051YM4TR
MIC94051YM4TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R600P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R360P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R360P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R360P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 15V 1.6A(Ta) 791mW(Ta) 8-SOIC
型号:
TPS1100DR
仓库库存编号:
TPS1100DR-ND
别名:TPS1100DRG4
TPS1100DRG4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 12A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R280P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R280P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R280P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R180P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R180P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 15V 2.3A(Ta) 791mW(Ta) 8-SOIC
型号:
TPS1101DR
仓库库存编号:
TPS1101DR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 15V 2.3A(Ta) 791mW(Ta) 8-SOIC
型号:
TPS1101DRG4
仓库库存编号:
TPS1101DRG4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.6A(Ta) 791mW(Ta) 8-SOIC
型号:
TPS1100DG4
仓库库存编号:
TPS1100DG4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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EPC
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 模具剖面(4 焊条)
型号:
EPC2012CENGR
仓库库存编号:
917-EPC2012CENGRCT-ND
别名:917-EPC2012CENGRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001658294
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 21W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001618082
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 22W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R360P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R360P7SXKSA1-ND
别名:SP001606068
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 791mW(Ta) 8-SOIC
型号:
TPS1101DG4
仓库库存编号:
TPS1101DG4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 24W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R280P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R280P7SXKSA1-ND
别名:SP001658160
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 24W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R280P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R280P7SXKSA1-ND
别名:SP001658180
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ),
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