产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 250A 730W SOT-227B
型号:
IXTE250N10
仓库库存编号:
IXTE250N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V ISOPLUS247?
型号:
IXFR90N20Q
仓库库存编号:
IXFR90N20Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 108A(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1F210N30P3
仓库库存编号:
MMIX1F210N30P3-ND
别名:Q7717170
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 250V 120A SOT-227B
型号:
IXFN120N25
仓库库存编号:
IXFN120N25-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 24A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN24N90Q
仓库库存编号:
IXFN24N90Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
MKE38P600LB-TRR
仓库库存编号:
MKE38P600LB-TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 21A(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL40N110P
仓库库存编号:
IXFL40N110P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
MKE38P600LB
仓库库存编号:
MKE38P600LB-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 85A(Tc) 400W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN79N20
仓库库存编号:
IXTN79N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 30A(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFB30N120Q2
仓库库存编号:
IXFB30N120Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 50W(Tj)
型号:
HTNFET-DC
仓库库存编号:
HTNFET-DC-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
MOSFET N-CH 55V 4-PIN
详细描述:通孔 N 沟道 55V 50W(Tj)
型号:
HTNFET-TC
仓库库存编号:
HTNFET-TC-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC014N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC014N03L3X1SA1-ND
别名:SP000454346
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名:SP000904026
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC020N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC020N10L3X1SA1-ND
别名:SP001006962
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC028N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC028N03L3X1SA1-ND
别名:SP000555720
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC042N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC042N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448976
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10L3X1SA1-ND
别名:SP001187424
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10N3X1SA1-ND
别名:SP000900304
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC055N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC055N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448980
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC173N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC173N10N3X1SA1-ND
别名:SP000899314
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
详细描述:MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
型号:
AUIRFU1010Z
仓库库存编号:
AUIRFU1010Z-ND
别名:SP001516086
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) TO-220-3
型号:
IRFB7434GPBF
仓库库存编号:
IRFB7434GPBF-ND
别名:SP001577770
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC171N04NX1SA1
仓库库存编号:
IPC171N04NX1SA1-ND
别名:SP000300150
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N04N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC218N04N3X1SA1-ND
别名:SP000448986
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:工作温度 -,
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