产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.8A(Ta),42A(Tc) 60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC160N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3 GINCT-ND
BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600mA(Ta) 1.1W(Ta) SOT-223
型号:
ZVNL110GTA
仓库库存编号:
ZVNL110GCT-ND
别名:ZVNL110G
ZVNL110GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3692
仓库库存编号:
FDS3692CT-ND
别名:FDS3692CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta),45A(Tc) 78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC196N10NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC196N10NSGATMA1CT-ND
别名:BSC196N10NS GCT
BSC196N10NS GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 66W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR5410TRPBF
仓库库存编号:
IRFR5410PBFCT-ND
别名:*IRFR5410TRPBF
IRFR5410PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 310mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVP2110GTA
仓库库存编号:
ZVP2110GCT-ND
别名:ZVP2110G
ZVP2110GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120TRPBF
仓库库存编号:
IRFR120TRPBFCT-ND
别名:IRFR120TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 1.6W(Ta) 6-SSOT
型号:
FDC8601
仓库库存编号:
FDC8601CT-ND
别名:FDC8601CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 2.2W(Ta) SOT-223-4
型号:
FDT86106LZ
仓库库存编号:
FDT86106LZCT-ND
别名:FDT86106LZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A
详细描述:表面贴装 N 沟道 59A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD122N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD122N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD122N10N3GATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.7A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR120TRPBF
仓库库存编号:
IRLR120TRPBFCT-ND
别名:*IRLR120TRPBF
IRLR120PBFCT
IRLR120PBFCT-ND
IRLR120TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 54W(Tc) D2PAK
型号:
BUK96180-100A,118
仓库库存编号:
1727-7191-1-ND
别名:1727-7191-1
568-9680-1
568-9680-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 63A(Tc) 78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC109N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC109N10NS3 GCT
BSC109N10NS3 GCT-ND
BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 模具
型号:
EPC2038
仓库库存编号:
917-1138-1-ND
别名:917-1138-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Ta)
型号:
EPC2037
仓库库存编号:
917-1137-1-ND
别名:917-1137-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 模具
型号:
EPC2037ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2037ENGRCT-ND
别名:917-EPC2037ENGRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Ta),32A(Tc) 95W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD3682
仓库库存编号:
FDD3682CT-ND
别名:FDD3682CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 86W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN034-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7211-1-ND
别名:1727-7211-1
568-9702-1
568-9702-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Ta) 2.1W(Ta) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDM3622
仓库库存编号:
FDM3622CT-ND
别名:FDM3622CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),36A(Tc) 3.1W(Ta),62W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD86102
仓库库存编号:
FDD86102CT-ND
别名:FDD86102CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) I-Pak
型号:
FQU13N10LTU
仓库库存编号:
FQU13N10LTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 14A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Ta),14A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4286
仓库库存编号:
785-1647-5-ND
别名:785-1647-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC070N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC070N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC070N10NS5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC070N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC070N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC070N10NS3 GCT
BSC070N10NS3 GCT-ND
BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 140mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVP3310A
仓库库存编号:
ZVP3310A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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