产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 140mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN0545GTA
仓库库存编号:
ZVN0545GCT-ND
别名:ZVN0545G
ZVN0545GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 320mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVNL120GTA
仓库库存编号:
ZVNL120GCT-ND
别名:ZVNL120G
ZVNL120GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 310mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVP2110GTA
仓库库存编号:
ZVP2110GCT-ND
别名:ZVP2110G
ZVP2110GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSH065N06TB1
仓库库存编号:
RSH065N06TB1CT-ND
别名:RSH065N06TB1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E070BNTB
仓库库存编号:
RQ3E070BNTBCT-ND
别名:RQ3E070BNTBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 2W(Ta) HUML2020L8
型号:
RF4E080GNTR
仓库库存编号:
RF4E080GNTRCT-ND
别名:RF4E080GNTRCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.9A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRLTS2242TRPBF
仓库库存编号:
IRLTS2242TRPBFCT-ND
别名:IRLTS2242TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 2W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3025LFG-7
仓库库存编号:
DMN3025LFG-7CT-ND
别名:DMN3025LFG-7CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 10A TSMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3G100GNTB
仓库库存编号:
RQ3G100GNTBCT-ND
别名:RQ3G100GNTBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 600mA(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5801TRPBF
仓库库存编号:
IRF5801TRPBFCT-ND
别名:IRF5801TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 900mA(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5802TRPBF
仓库库存编号:
IRF5802TRPBFCT-ND
别名:IRF5802TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5806TRPBF
仓库库存编号:
IRF5806TRPBFCT-ND
别名:IRF5806TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRLTS6342TRPBF
仓库库存编号:
IRLTS6342TRPBFCT-ND
别名:IRLTS6342TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS6802TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS6802PBFCT-ND
别名:*IRLMS6802TRPBF
IRLMS6802PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.4A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5803TRPBF
仓库库存编号:
IRF5803TRPBFCT-ND
别名:IRF5803TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(SOT23-6)
型号:
IRLMS2002TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS2002PBFCT-ND
别名:*IRLMS2002TRPBF
IRLMS2002PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOP8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSH065N03TB1
仓库库存编号:
RSH065N03TB1CT-ND
别名:RSH065N03TB1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSS065N06FU6TB
仓库库存编号:
RSS065N06FU6TBCT-ND
别名:RSS065N06FU6TBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMN3B04N8TA
仓库库存编号:
ZXMN3B04N8CT-ND
别名:ZXMN3B04N8CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 7A SOP8
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
RSH070P05TB1
仓库库存编号:
RSH070P05TB1CT-ND
别名:RSH070P05TB1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.8A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5805TRPBF
仓库库存编号:
IRF5805TRPBFCT-ND
别名:IRF5805TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E150BNTB
仓库库存编号:
RQ3E150BNTBCT-ND
别名:RQ3E150BNTBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP2120G4TA
仓库库存编号:
ZXMP2120G4CT-ND
别名:ZXMP2120G4CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E130MNTB1
仓库库存编号:
RQ3E130MNTB1CT-ND
别名:RQ3E130MNTB1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
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MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
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