产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB031NE7N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB031NE7N3GATMA1CT-ND
别名:IPB031NE7N3 GCT
IPB031NE7N3 GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N04S303AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N04S303AKSA1-ND
别名:IPP100N04S3-03
IPP100N04S3-03-ND
IPP100N04S303
SP000261227
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB039N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB039N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名:IPB039N10N3 G E8187
IPB039N10N3 G E8187-ND
IPB039N10N3 G E8187TR-ND
SP000939340
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A
详细描述:通孔 N 沟道 80V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI037N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI037N08N3GXKSA1-ND
别名:SP000680654
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 120A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB024N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB024N08N5ATMA1-ND
别名:SP001227044
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP027N08N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP027N08N5AKSA1-ND
别名:SP001132484
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 83A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI111N15N3GAKSA1
仓库库存编号:
IPI111N15N3GAKSA1-ND
别名:IPI111N15N3 G
IPI111N15N3 G-ND
SP000680232
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 240MA 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 240A(Tc) 214W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT012N06NATMA1
仓库库存编号:
IPT012N06NATMA1-ND
别名:SP001637074
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 20A(Tc) 214W(Tc) TO-247-3
型号:
STW20NM50
仓库库存编号:
497-3262-5-ND
别名:497-3262-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Ta) 214W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP52N10
仓库库存编号:
NTP52N10OS-ND
别名:NTP52N10OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 30A(Ta) 214W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP30N20G
仓库库存编号:
NTP30N20GOS-ND
别名:NTP30N20GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Ta) 214W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP52N10G
仓库库存编号:
NTP52N10GOS-ND
别名:NTP52N10GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 55A TO-3PN
详细描述:通孔 P 沟道 60V 55A(Tc) 214W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA47P06
仓库库存编号:
FQA47P06-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 60V 100A(Tc) 214W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA85N06
仓库库存编号:
FQA85N06-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 70A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 214W(Tc) TO-247
型号:
FQH70N10
仓库库存编号:
FQH70N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N06S3-04
仓库库存编号:
IPI100N06S3-04IN-ND
别名:IPI100N06S3-04-ND
IPI100N06S3-04IN
IPI100N06S304X
IPI100N06S304XK
SP000102210
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP06CN10N G
仓库库存编号:
IPP06CN10N G-ND
别名:IPP06CN10NGX
IPP06CN10NGXK
SP000096463
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP06CNE8N G
仓库库存编号:
IPP06CNE8N G-ND
别名:IPP06CNE8NGX
IPP06CNE8NGXK
SP000096464
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP070N06L G
仓库库存编号:
IPP070N06LGIN-ND
别名:IPP070N06L G-ND
IPP070N06LGIN
IPP070N06LGX
IPP070N06LGXK
SP000204171
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 214W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP080N06N G
仓库库存编号:
IPP080N06N G-ND
别名:IPP080N06NGX
IPP080N06NGXK
SP000204173
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S3-04
仓库库存编号:
IPP100N06S3-04IN-ND
别名:IPP100N06S3-04-ND
IPP100N06S3-04IN
IPP100N06S304X
IPP100N06S304XK
SP000102212
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N06S3L-04
仓库库存编号:
IPP100N06S3L-04IN-ND
别名:IPP100N06S3L-04-ND
IPP100N06S3L-04IN
IPP100N06S3L04X
IPP100N06S3L04XK
SP000102209
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB070N06L G
仓库库存编号:
IPB070N06LGINCT-ND
别名:IPB070N06LG
IPB070N06LGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S3-04
仓库库存编号:
IPB100N06S3-04INCT-ND
别名:IPB100N06S3-04INCT
IPB100N06S304
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N06S3L-04
仓库库存编号:
IPB100N06S3L-04INCT-ND
别名:IPB100N06S3L-04INCT
IPB100N06S3L04
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) 214W(Tc),
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