产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Microchip Technology (1)
Diodes Incorporated (13)
EPC (83)
GeneSiC Semiconductor (1)
Infineon Technologies (68)
IXYS (165)
Micro Commercial Co (3)
Nexperia USA Inc. (18)
NXP USA Inc. (28)
Fairchild/Micross Components (2)
Fairchild/ON Semiconductor (17)
ON Semiconductor (124)
Panasonic Electronic Components (3)
Renesas Electronics America (2)
Rohm Semiconductor (12)
STMicroelectronics (14)
Taiwan Semiconductor Corporation (2)
Toshiba Semiconductor and Storage (26)
Vishay Siliconix (73)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FDM47-06KC5
仓库库存编号:
FDM47-06KC5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 47A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMD47-06KC5
仓库库存编号:
FMD47-06KC5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
MKE38RK600DFELB-TRR
仓库库存编号:
MKE38RK600DFELB-TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 55A(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL55N50
仓库库存编号:
IXFL55N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
MKE38RK600DFELB
仓库库存编号:
MKE38RK600DFELB-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 900V ISOPLUS247?
型号:
IXFR24N90Q
仓库库存编号:
IXFR24N90Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V ISOPLUS247?
型号:
IXFR90N20Q
仓库库存编号:
IXFR90N20Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 108A(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1F210N30P3
仓库库存编号:
MMIX1F210N30P3-ND
别名:Q7717170
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 250V 120A SOT-227B
型号:
IXFN120N25
仓库库存编号:
IXFN120N25-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
MKE38P600LB-TRR
仓库库存编号:
MKE38P600LB-TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1100V 21A(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL40N110P
仓库库存编号:
IXFL40N110P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 50A(Tc) ISOPLUS-SMPD?.B
型号:
MKE38P600LB
仓库库存编号:
MKE38P600LB-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 30A(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFB30N120Q2
仓库库存编号:
IXFB30N120Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC014N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC014N03L3X1SA1-ND
别名:SP000454346
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名:SP000904026
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC020N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC020N10L3X1SA1-ND
别名:SP001006962
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC028N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC028N03L3X1SA1-ND
别名:SP000555720
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC042N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC042N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448976
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10L3X1SA1-ND
别名:SP001187424
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10N3X1SA1-ND
别名:SP000900304
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC055N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC055N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448980
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
型号:
AUIRLZ44ZL
仓库库存编号:
AUIRLZ44ZL-ND
别名:SP001518950
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC173N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC173N10N3X1SA1-ND
别名:SP000899314
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
详细描述:MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
型号:
AUIRFU1010Z
仓库库存编号:
AUIRFU1010Z-ND
别名:SP001516086
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) TO-220-3
型号:
IRFB7434GPBF
仓库库存编号:
IRFB7434GPBF-ND
别名:SP001577770
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号