产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC20N60C
仓库库存编号:
IXKC20N60C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH30N60C5
仓库库存编号:
IXKH30N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 88A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 88A(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ88N15
仓库库存编号:
IXTQ88N15-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 8-SOIC
型号:
IXT-1-1N100S1-TR
仓库库存编号:
IXT-1-1N100S1-TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ21N50Q
仓库库存编号:
IXFQ21N50Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC23N60C5
仓库库存编号:
IXKC23N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FDM15-06KC5
仓库库存编号:
FDM15-06KC5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMD15-06KC5
仓库库存编号:
FMD15-06KC5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) TO-247AD(IXKH)
型号:
IXKH35N60C5
仓库库存编号:
IXKH35N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 4A(Ta) 模具剖面(12 焊条)
型号:
EPC2025ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2025ENGR-ND
别名:917-EPC2025ENGR
EPC2025ENGRC
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 35A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP35N60C5
仓库库存编号:
IXKP35N60C5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ26N50Q
仓库库存编号:
IXFQ26N50Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-30
详细描述:通孔 N 沟道 500V 26A(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ26N50
仓库库存编号:
IXFQ26N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 24A(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ24N50Q
仓库库存编号:
IXFQ24N50Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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EPC
TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Ta) 模具
型号:
EPC2024ENG
仓库库存编号:
917-EPC2024ENG-ND
别名:917-EPC2024ENG
EPC2024ENGRC3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V ISOPLUS247?
型号:
IXFR15N100P
仓库库存编号:
IXFR15N100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 ISOPLUS247?
型号:
IXFR16N80P
仓库库存编号:
IXFR16N80P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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EPC
TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8A(Ta) 模具
型号:
EPC8007ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8007ENGR-ND
别名:917-EPC8007ENGR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
详细描述:通孔 1200V 6A(Tc)(90°C) TO-247AB
型号:
GA06JT12-247
仓库库存编号:
1242-1165-ND
别名:1242-1165
GA06JT12247
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 13A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR13N50
仓库库存编号:
IXFR13N50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
详细描述:MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
型号:
IXTT75N20L2
仓库库存编号:
IXTT75N20L2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMD21-05QC
仓库库存编号:
FMD21-05QC-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 28A(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXKC40N60C
仓库库存编号:
IXKC40N60C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 23A(Tc) TO-268
型号:
IXFQ23N60Q
仓库库存编号:
IXFQ23N60Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 1.5A(Tc) 8-SOIC
型号:
IXT-1-1N100S1
仓库库存编号:
IXT-1-1N100S1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:功率耗散(最大值) -,
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