产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD040N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD040N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ035N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ035N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ035N03LSGATMA1CT
BSZ035N03LSGINCT
BSZ035N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS456DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS456DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS456DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 17.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8113TRPBF
仓库库存编号:
IRF8113PBFCT-ND
别名:*IRF8113TRPBF
IRF8113PBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.6W(Ta),39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA10DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA10DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA10DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA04DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA04DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA04DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 46A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4136DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4136DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4136DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 5.2W(Ta),125W(Tc) 10-PolarPAK?(L)
型号:
SIE868DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE868DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE868DF-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),39A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC120N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC120N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC120N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03LSGINCT
BSC120N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.3A(Ta),37A(Tc) 810mW(Ta),20.8W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS4928NTAG
仓库库存编号:
NTTFS4928NTAGOSCT-ND
别名:NTTFS4928NTAGOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),48A(Tc) 2.5W(Ta),32W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC090N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC090N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC090N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC090N03LSGINCT
BSC090N03LSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),45W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ058N03LS G
仓库库存编号:
BSZ058N03LSGINCT-ND
别名:BSZ058N03LSGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB065N03L G
仓库库存编号:
IPB065N03LGINCT-ND
别名:IPB065N03LGINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V S308
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ0901NS
仓库库存编号:
BSZ0901NSCT-ND
别名:BSZ0901NSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Toshiba Semiconductor and Storage
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2A(Ta) 600mW(Ta) S-Mini
型号:
SSM3J353F,LF
仓库库存编号:
SSM3J353FLFCT-ND
别名:SSM3J353FLFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Tc) 26.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA96DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA96DN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA96DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 20A(Tc) 66W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM480P06CP ROG
仓库库存编号:
TSM480P06CP ROGTR-ND
别名:TSM480P06CP ROGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 20A(Tc) 66W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM480P06CP ROG
仓库库存编号:
TSM480P06CP ROGCT-ND
别名:TSM480P06CP ROGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -60V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 20A(Tc) 66W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM480P06CP ROG
仓库库存编号:
TSM480P06CP ROGDKR-ND
别名:TSM480P06CP ROGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 12A SC-70
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 12A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA441DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA441DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA441DJ-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 5.2W(Ta),69W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR644DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR644DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR644DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIRA60DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIRA60DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIRA60DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.3A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta),41A(Tc) 910mW(Ta),22.3W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4943NT1G
仓库库存编号:
NTMFS4943NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4943NT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 980mW(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMS3016SFG-7
仓库库存编号:
DMS3016SFG-7DICT-ND
别名:DMS3016SFG-7DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC079N03LSCGATMA1
仓库库存编号:
BSC079N03LSCGATMA1CT-ND
别名:BSC079N03LSCGATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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