产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250μA,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 800mA(Tc) 11W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD01N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD01N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD01N60C3INCT
SPD01N60C3INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 800mA(Tc) 11W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS01N60C3
仓库库存编号:
SPS01N60C3-ND
别名:SP000235876
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 294W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8408
仓库库存编号:
IRAUIRFS8408-ND
别名:IRAUIRFS8408
SP001521164
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 240A(Tc) 294W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8408-7P
仓库库存编号:
IRAUIRFS8408-7P-ND
别名:IRAUIRFS8408-7P
SP001518804
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS8409
仓库库存编号:
IRAUIRFS8409-ND
别名:IRAUIRFS8409
SP001517498
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K0CEBKMA1-ND
别名:SP001100624
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R1K0CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K0CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R1K0CEBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 3.6A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA80R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001271058
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.9V @ 250μA,
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