产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2NA90
仓库库存编号:
FQPF2NA90-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.8A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2NA90
仓库库存编号:
FQP2NA90-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 20A(Tc) 93W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA75321D3
仓库库存编号:
HUFA75321D3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 20A(Tc) 93W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA75321D3S
仓库库存编号:
HUFA75321D3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 35A(Tc) 93W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75321S3S
仓库库存编号:
HUF75321S3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2.4A TO-220F
详细描述:通孔 P 沟道 400V 2.4A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4P40
仓库库存编号:
FQPF4P40-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 400V 3.5A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) I2PAK
型号:
FQI4P40TU
仓库库存编号:
FQI4P40TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 3.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 400V 3.5A(Tc) 3.13W(Ta),85W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB4P40TM
仓库库存编号:
FQB4P40TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),107W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2NA90TM
仓库库存编号:
FQB2NA90TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 35A(Tc) 93W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA75321P3
仓库库存编号:
HUFA75321P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 35A(Tc) 93W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA75321S3S
仓库库存编号:
HUFA75321S3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 35A(Tc) 93W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA75321S3ST
仓库库存编号:
HUFA75321S3ST-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),107W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2NA90TU
仓库库存编号:
FQI2NA90TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 28A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34E
仓库库存编号:
IRFZ34E-ND
别名:*IRFZ34E
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 2.5A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5804
仓库库存编号:
IRF5804-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 2.5A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5804TR
仓库库存编号:
IRF5804TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 28A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ34EPBF
仓库库存编号:
IRFZ34EPBF-ND
别名:*IRFZ34EPBF
SP001567916
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 2.5A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRF5804TRPBF
仓库库存编号:
IRF5804TRPBFCT-ND
别名:IRF5804TRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 25V,
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