产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF30PBF
仓库库存编号:
IRFBF30PBF-ND
别名:*IRFBF30PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681040
SPP11N60C3
SPP11N60C3BKSA1
SPP11N60C3IN
SPP11N60C3IN-ND
SPP11N60C3X
SPP11N60C3XIN
SPP11N60C3XIN-ND
SPP11N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 85W(Tc) DPAK
型号:
STD20NF10T4
仓库库存编号:
STD20NF10T4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 55W(Tc) DPAK
型号:
NVD5414NT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5414NT4G-VF01-ND
别名:NVD5414NT4G
NVD5414NT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 20A WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 65W(Tc) WPAK(3F)(5x6)
型号:
RJK2076DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK2076DPA-00#J5A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 150V WPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 65W(Tc) WPAK(3F)(5x6)
型号:
RJK1576DPA-00#J5A
仓库库存编号:
RJK1576DPA-00#J5A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ34STRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ34STRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK9A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK9A60D(STA4QM)-ND
别名:TK9A60D(STA4QM)
TK9A60DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 11A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 11A(Tc) 3W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF9640LPBF
仓库库存编号:
IRF9640LPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK11A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK11A50D(STA4QM)-ND
别名:TK11A50D(STA4QM)
TK11A50DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK7A65D(STA4QM)-ND
别名:TK7A65D(STA4QM)
TK7A65DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A45D(STA4QM)-ND
别名:TK12A45D(STA4QM)
TK12A45DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK10A55D(STA4QM)-ND
别名:TK10A55D(STA4QM)
TK10A55DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFBF30STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBF30STRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF30PBF
仓库库存编号:
IRFPF30PBF-ND
别名:*IRFPF30PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.6A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF30
仓库库存编号:
IRFBF30-ND
别名:*IRFBF30
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 100W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名:IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB12N50C3
仓库库存编号:
SPB12N50C3INCT-ND
别名:SPB12N50C3INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA12N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA12N50C3XKSA1-ND
别名:SP000216322
SPA12N50C3
SPA12N50C3IN
SPA12N50C3IN-ND
SPA12N50C3X
SPA12N50C3XK
SPA12N50C3XTIN
SPA12N50C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 560V 11.6A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI12N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI12N50C3XKSA1-ND
别名:SP000680996
SPI12N50C3
SPI12N50C3-ND
SPI12N50C3IN
SPI12N50C3IN-ND
SPI12N50C3X
SPI12N50C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI11N65C3XKSA1-ND
别名:SP000680994
SPI11N65C3
SPI11N65C3-ND
SPI11N65C3IN
SPI11N65C3IN-ND
SPI11N65C3X
SPI11N65C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP11N65C3XKSA1-ND
别名:SP000681046
SPP11N65C3
SPP11N65C3-ND
SPP11N65C3BKSA1
SPP11N65C3IN
SPP11N65C3IN-ND
SPP11N65C3X
SPP11N65C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI11N60C3XKSA1-ND
别名:SP000680986
SPI11N60C3
SPI11N60C3BKSA1
SPI11N60C3IN
SPI11N60C3IN-ND
SPI11N60C3X
SPI11N60C3X-ND
SPI11N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA11N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA11N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000216317
SPA11N60CFD
SPA11N60CFD-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1200pF @ 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW11N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000014534
SPW11N60CFD
SPW11N60CFD-ND
SPW11N60CFDIN
SPW11N60CFDIN-ND
SPW11N60CFDX
SPW11N60CFDXK
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