产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (7)
IXYS (1)
Fairchild/ON Semiconductor (10)
ON Semiconductor (1)
STMicroelectronics (19)
Vishay Siliconix (10)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 520V 4.4A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STD5NK52ZD-1
仓库库存编号:
497-5965-5-ND
别名:497-5965-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.4A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STD5NK50Z-1
仓库库存编号:
STD5NK50Z-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 520V 4.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 520V 4.4A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF5NK52ZD
仓库库存编号:
STF5NK52ZD-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 525V 4.4A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF5N52U
仓库库存编号:
497-12582-5-ND
别名:497-12582-5
STF5N52U-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 525V 4.4A(Tc) 70W(Tc) TO-220
型号:
STP5N52K3
仓库库存编号:
497-10652-5-ND
别名:497-10652-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 525V 4.4A(Tc) 70W(Tc) D2PAK
型号:
STB5N52K3
仓库库存编号:
497-11091-1-ND
别名:497-11091-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 525V 4.4A(Tc) 70W(Tc) I2PAK
型号:
STI5N52U
仓库库存编号:
497-12264-ND
别名:497-12264
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF624S
仓库库存编号:
IRF624S-ND
别名:*IRF624S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF624
仓库库存编号:
IRF624-ND
别名:*IRF624
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 250V 4.4A(Tc) I2PAK
型号:
IRF624L
仓库库存编号:
IRF624L-ND
别名:*IRF624L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF624STRL
仓库库存编号:
IRF624STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF624STRR
仓库库存编号:
IRF624STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
型号:
FQU6N25TU
仓库库存编号:
FQU6N25TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N25TF
仓库库存编号:
FQD6N25TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N30TM
仓库库存编号:
FQD5N30TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 4.4A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N30TF
仓库库存编号:
FQD5N30TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 106W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP4N60
仓库库存编号:
FQP4N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.4A(Tc) 90W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF6N80
仓库库存编号:
FQAF6N80-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 4.4A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N25TF
仓库库存编号:
FDD6N25TFCT-ND
别名:FDD6N25TFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 620V 4.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 620V 4.4A(Tc) 28W(Tc) TO-220FP
型号:
NDF04N62ZG
仓库库存编号:
NDF04N62ZGOS-ND
别名:NDF04N62ZG-ND
NDF04N62ZGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4.4A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2360EES-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ2360EES-T1-GE3CT-ND
别名:SQ2360EES-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R950C6
仓库库存编号:
IPD60R950C6INCT-ND
别名:IPD60R950C6INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU60R950C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R950C6BKMA1-ND
别名:SP000931532
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4.4A(Tc),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号