产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3418EEV-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ3418EEV-T1-GE3CT-ND
别名:SQ3418EEV-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF8N60
仓库库存编号:
AOTF8N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
JAN2N6796
仓库库存编号:
JAN2N6796-ND
别名:JAN2N6796-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JAN2N6796U
仓库库存编号:
JAN2N6796U-ND
别名:JAN2N6796U-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 8A
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
JANTX2N6796
仓库库存编号:
JANTX2N6796-ND
别名:JANTX2N6796-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 8A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JANTX2N6796U
仓库库存编号:
JANTX2N6796U-ND
别名:JANTX2N6796U-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 8A
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-205AF(TO-39)
型号:
JANTXV2N6796
仓库库存编号:
JANTXV2N6796-ND
别名:JANTXV2N6796-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 8A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
JANTXV2N6796U
仓库库存编号:
JANTXV2N6796U-ND
别名:JANTXV2N6796U-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
2N6796
仓库库存编号:
2N6796-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
2N6796U
仓库库存编号:
2N6796U-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 8A SC-74
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8A(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN15UN,115
仓库库存编号:
568-10795-1-ND
别名:568-10795-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 8A(Tc) 52W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M008A025CG
仓库库存编号:
GP1M008A025CG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 17.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M008A025FG
仓库库存编号:
GP1M008A025FG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 52W(Tc) TO-220
型号:
GP1M008A025HG
仓库库存编号:
GP1M008A025HG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M008A050PG
仓库库存编号:
GP1M008A050PG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 40.3W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M008A080FH
仓库库存编号:
GP1M008A080FH-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 8A(Tc) 52W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M008A025PG
仓库库存编号:
1560-1166-5-ND
别名:1560-1166-1
1560-1166-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M008A050CG
仓库库存编号:
1560-1167-1-ND
别名:1560-1167-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M008A050FG
仓库库存编号:
1560-1168-5-ND
别名:1560-1168-1
1560-1168-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 120W(Tc) TO-220
型号:
GP1M008A050HG
仓库库存编号:
1560-1169-5-ND
别名:1560-1169-1
1560-1169-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
GP1M008A080H
仓库库存编号:
1560-1170-5-ND
别名:1560-1170-1
1560-1170-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3
型号:
AOT8N65_001
仓库库存编号:
AOT8N65_001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 700V 8A(Tc) 40W(Tc) ITO-220
型号:
TSM8N70CI C0G
仓库库存编号:
TSM8N70CI C0G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4435DYTR
仓库库存编号:
SI4435DYTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4435DY
仓库库存编号:
SI4435DY-ND
别名:*SI4435DY
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 8A(Tc),
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