产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.6A(Tc) 61W(Tc) I-Pak
型号:
NDD03N60Z-1G
仓库库存编号:
NDD03N60Z-1GOS-ND
别名:NDD03N60Z-1G-ND
NDD03N60Z-1GOS
NDD03N60Z1G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A60D(STA4QM)-ND
别名:TK4A60D(Q)
TK4A60D(Q)-ND
TK4A60D(STA4QM)
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.5A(Tc) 83W(Tc) TO-220
型号:
AOT3N60
仓库库存编号:
785-1186-5-ND
别名:785-1186-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 380mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2327DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2327DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2327DS-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 1.3A(Tc) 2.2W(Ta),4.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4409DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4409DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4409DY-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 21.4A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 21.4A(Tc) 59W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y54-75B,115
仓库库存编号:
568-5521-1-ND
别名:568-5521-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.7A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3456CDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3456CDV-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.7A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3456CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3456CDV-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 1.3A(Tc) 2.2W(Ta),4.6W(Tc) 8-SO
型号:
SI4409DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4409DY-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 46A(Tc) 34W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN9R0-25YLC,115
仓库库存编号:
568-7592-1-ND
别名:568-7592-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A65DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A65DA(STA4QM)-ND
别名:TK4A65DA(STA4QM)
TK4A65DASTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6.1A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6010-H(TE85L,FM
仓库库存编号:
TPC6010-H(TE85LFM-ND
别名:TPC6010-H(TE85LFM
TPC6010HTE85LFM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4.4A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2360EES-T1-GE3
仓库库存编号:
SQ2360EES-T1-GE3CT-ND
别名:SQ2360EES-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 19A TP
详细描述:通孔 P 沟道 40V 19A(Ta) 1W(Ta),23W(Tc) TP
型号:
SFT1350-H
仓库库存编号:
SFT1350-H-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 7A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK7880-55A,115
仓库库存编号:
568-9712-1-ND
别名:568-9712-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 10A SFN3X2
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta) 1.6W(Ta) 8-DFN(3x2)
型号:
AON4420
仓库库存编号:
785-1572-1-ND
别名:785-1572-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.3A(Ta) 800mW(Ta) 3-MPAK
型号:
RQJ0303PGDQA#H6
仓库库存编号:
RQJ0303PGDQA#H6-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 4A DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 2.8W(Ta) 6-DFN-EP(2x2)
型号:
AON2707
仓库库存编号:
AON2707-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4A(Tc) 86.2W(Tc) D-Pak
型号:
GP2M004A060CG
仓库库存编号:
GP2M004A060CG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 30.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP2M004A060FG
仓库库存编号:
GP2M004A060FG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4A(Tc) 86.2W(Tc) TO-220
型号:
GP2M004A060HG
仓库库存编号:
GP2M004A060HG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9.5A(Ta),24A(Tc) 3.1W(Ta),20W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7410L_101
仓库库存编号:
AON7410L_101-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.5A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU3N60_001
仓库库存编号:
AOU3N60_001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 40V 19A TP-FA
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 19A(Ta) 1W(Ta),23W(Tc) TP-FA
型号:
SFT1350-TL-H
仓库库存编号:
SFT1350-TL-HOSCT-ND
别名:SFT1350-TL-HOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.7A(Ta) 1.25W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7523D1
仓库库存编号:
IRF7523D1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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