产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 500V
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 69W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
SIHU3N50DA-GE3
仓库库存编号:
SIHU3N50DA-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 69W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD3N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHD3N50D-GE3-ND
别名:SIHD3N50D-GE3CT
SIHD3N50D-GE3CT-ND
SIHD3N50DGE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 42W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R2K8CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R2K8CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R2K8CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 61W(Tc) I-Pak
型号:
NDD04N50Z-1G
仓库库存编号:
NDD04N50Z-1GOS-ND
别名:NDD04N50Z-1G-ND
NDD04N50Z-1GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 3.1W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4823NWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS4823NWFTWG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 69W(Tc) TO-251AA
型号:
SIHU3N50D-E3
仓库库存编号:
SIHU3N50D-E3-ND
别名:SIHU3N50D-E3CT
SIHU3N50D-E3CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 69W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD3N50D-E3
仓库库存编号:
SIHD3N50D-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 30A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 3.1W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4823NWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS4823NWFTAG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.9A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Tc) 74W(Tc) DPAK
型号:
NDD60N900U1T4G
仓库库存编号:
NDD60N900U1T4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.17A(Tc) 3.2W(Ta),12.5W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7117DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7117DN-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 100W(Tc) D-Pak
型号:
TK6P53D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK6P53D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK6P53DT6RSSQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 100W(Tc) D-Pak
型号:
TK7P50D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK7P50D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK7P50DT6RSSQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.1A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9014TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR9014TRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR310TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR310TRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 74W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N900U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N900U1-1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.7A(Tc) 74W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N900U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N900U1-35G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.2A(Ta) 60W(Tc) DPAK
型号:
TK6P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK6P60WRVQCT-ND
别名:TK6P60WRVQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) I2PAK
型号:
IRF9Z14LPBF
仓库库存编号:
IRF9Z14LPBF-ND
别名:*IRF9Z14LPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z14STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9Z14STRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 5.3A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9Z14GPBF
仓库库存编号:
IRFI9Z14GPBF-ND
别名:*IRFI9Z14GPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A55DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A55DA(STA4QM)-ND
别名:TK6A55DA(STA4QM)
TK6A55DASTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A53D(STA4QM)-ND
别名:TK6A53D(STA4QM)
TK6A53DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK7A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK7A50D(STA4QM)-ND
别名:TK7A50D(STA4QM)
TK7A50DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Ta) 60W(Tc) I-Pak
型号:
TK6Q60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK6Q60WS1VQ-ND
别名:TK6Q60W,S1VQ(S
TK6Q60WS1VQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 6.7A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z10
仓库库存编号:
IRF9Z10-ND
别名:*IRF9Z10
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 12nC @ 10V,
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