产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 100A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100A(Tc) 600W(Tc) TO-268
型号:
IXTT100N25P
仓库库存编号:
IXTT100N25P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 250V 120A(Tc) 700W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK120N25P
仓库库存编号:
IXFK120N25P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 250V 120A(Tc) 700W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX120N25P
仓库库存编号:
IXFX120N25P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 170A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX170N20P
仓库库存编号:
IXFX170N20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 170A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK170N20P
仓库库存编号:
IXFK170N20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 140A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 140A(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK140N30P
仓库库存编号:
IXTK140N30P-ND
别名:Q4597844
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 800V 44A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX44N80Q3
仓库库存编号:
IXFX44N80Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 800V 44A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK44N80Q3
仓库库存编号:
IXFK44N80Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 22A(Tc) 690W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT12057LFLLG
仓库库存编号:
APT12057LFLLG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 22A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT12057B2FLLG
仓库库存编号:
APT12057B2FLLG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
STW60NE10
仓库库存编号:
497-2643-5-ND
别名:497-2643-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 700V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 700V 20A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3
型号:
STW20NK70Z
仓库库存编号:
497-3559-5-ND
别名:497-3559-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 20A(Ta),80A(Tc) 188W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP8443
仓库库存编号:
FDP8443-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7380ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7380ADP-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7380ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7380ADP-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N08S2-07R
仓库库存编号:
SPI80N08S2-07R-ND
别名:SP000013717
SPI80N08S207R
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 185nC @ 10V,
含铅
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