产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC80N08
仓库库存编号:
IXFC80N08-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 85V 80A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC80N085
仓库库存编号:
IXFC80N085-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC80N10
仓库库存编号:
IXFC80N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 70A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 150V 70A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH70N15
仓库库存编号:
IXFH70N15-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 80V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH80N08
仓库库存编号:
IXFH80N08-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 85V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH80N085
仓库库存编号:
IXFH80N085-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH80N10
仓库库存编号:
IXFH80N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 100A(Tc) 360W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N10S1
仓库库存编号:
IXFN100N10S1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 100A(Tc) 360W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N10S2
仓库库存编号:
IXFN100N10S2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 100A(Tc) 360W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N10S3
仓库库存编号:
IXFN100N10S3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N15Q
仓库库存编号:
IXFT80N15Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V MP-25ZP/TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Ta) 1.8W(Ta),220W(Tc) TO-263
型号:
NP109N055PUJ-E1B-AY
仓库库存编号:
NP109N055PUJ-E1B-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 1.8W(Ta),250W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N04TUJ-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N04TUJ-E1-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 160A(Tc) 1.8W(Ta),250W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N055TUJ-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N055TUJ-E1-AYCT-ND
别名:NP160N055TUJ-E1-AYCT
NP160N055TUJE1AY
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 220A(Tc) 283W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP5860NLG
仓库库存编号:
NTP5860NLG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK755R4-100E,127
仓库库存编号:
1727-7238-ND
别名:1727-7238
568-9845-5
568-9845-5-ND
934066483127
BUK755R4100E127
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 26A(Tc) 470W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP26N60L
仓库库存编号:
IRFP26N60L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 220A(Tc) 283W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB5860NT4G
仓库库存编号:
NVB5860NT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 40A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5210STRR
仓库库存编号:
IRF5210STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 40A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRF5210L
仓库库存编号:
IRF5210L-ND
别名:*IRF5210L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 74A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF4905STRR
仓库库存编号:
IRF4905STRR-ND
别名:SP001561660
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 41A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 55V 41A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI4905
仓库库存编号:
IRFI4905-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1405Z
仓库库存编号:
IRF1405Z-ND
别名:*IRF1405Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRF1405ZL
仓库库存编号:
IRF1405ZL-ND
别名:*IRF1405ZL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF1405ZS
仓库库存编号:
IRF1405ZS-ND
别名:*IRF1405ZS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 180nC @ 10V,
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