产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630S
仓库库存编号:
IRF9630S-ND
别名:*IRF9630S
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 200V 4.3A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9630G
仓库库存编号:
IRFI9630G-ND
别名:*IRFI9630G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.5A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9630L
仓库库存编号:
IRF9630L-ND
别名:*IRF9630L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630STRL
仓库库存编号:
IRF9630STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 6.5A(Tc) 3W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9630STRR
仓库库存编号:
IRF9630STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6609A
仓库库存编号:
FDS6609A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10.9A(Ta),62A(Tc) 115W(Tc) TO-220AB
型号:
FDP13AN06A0
仓库库存编号:
FDP13AN06A0-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.5A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR230BTM_AM002
仓库库存编号:
IRFR230BTM_AM002-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 18A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 18A(Tc) 75W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76619D3
仓库库存编号:
HUFA76619D3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76619D3S
仓库库存编号:
HUFA76619D3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76619D3ST
仓库库存编号:
HUFA76619D3ST-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76619D3ST
仓库库存编号:
HUF76619D3ST-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76619D3S
仓库库存编号:
HUF76619D3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 35A(Tc) 50W(Tc) TO-251AA
型号:
FDU8780
仓库库存编号:
FDU8780-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 12A(Tc) 200W(Tc) TO-263
型号:
IXTI12N50P
仓库库存编号:
IXTI12N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 16.5A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 16.5A(Ta),30A(Tc) 3.7W(Ta),32.6W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6780
仓库库存编号:
FDD6780CT-ND
别名:FDD6780CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 72W(Tc) TO-220-3
型号:
IRF630B_FP001
仓库库存编号:
IRF630B_FP001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 17.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 17.7A(Ta),30A(Tc) 3.7W(Ta),39W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6776A
仓库库存编号:
FDD6776ACT-ND
别名:FDD6776ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 35A(Tc) 50W(Tc) TO-251AA
型号:
FDU8780_F071
仓库库存编号:
FDU8780_F071-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 72W(Tc) TO-220-3
型号:
IRF630BTSTU_FP001
仓库库存编号:
IRF630BTSTU_FP001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 91A(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH5030AL,115
仓库库存编号:
PH5030AL,115-ND
别名:934063088115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 23A(Tc) 83W(Tc) I-Pak
型号:
NTD6415AN-1G
仓库库存编号:
NTD6415AN-1GOS-ND
别名:NTD6415AN-1G-ND
NTD6415AN-1GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Ta) 47W(Tc) DP
型号:
TK40P04M1(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK40P04M1(T6RSS-Q)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 46A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 46A(Tc) 71W(Tc) I-Pak
型号:
NTD5865NL-1G
仓库库存编号:
NTD5865NL-1GOS-ND
别名:NTD5865NL-1G-ND
NTD5865NL-1GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NTD6415ANT4G
仓库库存编号:
NTD6415ANT4GOSCT-ND
别名:NTD6415ANT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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