产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 100W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4020TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4020TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4020TRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 136W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB600N25N3 G
仓库库存编号:
IPB600N25N3 GCT-ND
别名:IPB600N25N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 125W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL24N60M2
仓库库存编号:
497-14214-1-ND
别名:497-14214-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.1A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NDD04N60ZT4G
仓库库存编号:
NDD04N60ZT4GOSCT-ND
别名:NDD04N60ZT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS890DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS890DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS890DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220
型号:
STP24N60DM2
仓库库存编号:
497-14571-5-ND
别名:497-14571-5
STP24N60DM2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.1A(Tc) 83W(Tc) I-Pak
型号:
NDD04N60Z-1G
仓库库存编号:
NDD04N60Z-1GOS-ND
别名:NDD04N60Z-1G-ND
NDD04N60Z-1GOS
NDD04N60Z1G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
POWER TRANSISTORS
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 111W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL140N4F7AG
仓库库存编号:
497-16679-1-ND
别名:497-16679-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 73.5W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM170N06PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM170N06PQ56 RLGTR-ND
别名:TSM170N06PQ56 RLGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 73.5W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM170N06PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM170N06PQ56 RLGCT-ND
别名:TSM170N06PQ56 RLGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 73.5W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM170N06PQ56 RLG
仓库库存编号:
TSM170N06PQ56 RLGDKR-ND
别名:TSM170N06PQ56 RLGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 111W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL160N4F7
仓库库存编号:
STL160N4F7-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF11NM65N
仓库库存编号:
STF11NM65N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 14A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 125W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL24N65M2
仓库库存编号:
STL24N65M2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A I2PAK-FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 35W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI13N80K5
仓库库存编号:
497-15374-5-ND
别名:497-15374-5
STFI13N80K5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-247
型号:
STW25N60M2-EP
仓库库存编号:
STW25N60M2-EP-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 48W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
仓库库存编号:
IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT-ND
别名:IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 83W(Tc) DPAK
型号:
NVD6415ANT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD6415ANT4G-VF01-ND
别名:NVD6415ANT4G
NVD6415ANT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 33A(Ta) 48W(Tc) ATPAK
型号:
NVATS5A106PLZT4G
仓库库存编号:
NVATS5A106PLZT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.2A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4824NWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS4824NWFTWG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 69A U8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.2A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS4824NWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS4824NWFTAG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.13W(Ta),72W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFW630BTM_FP001
仓库库存编号:
IRFW630BTM_FP001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 7A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD07N25-350H_GE3
仓库库存编号:
SQD07N25-350H_GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 5A(Tc) 6.25W(Tc) 8-SO
型号:
PHK5NQ15T,518
仓库库存编号:
PHK5NQ15T,518-ND
别名:934057307518
PHK5NQ15T /T3
PHK5NQ15T /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 11.8A(Ta) 10.1W(Ta) TO-252,(D-Pak)
型号:
ZXMN6A09KQTC
仓库库存编号:
ZXMN6A09KQTC-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 29nC @ 10V,
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