产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 32W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA65R280C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R280C6XKSA1-ND
别名:IPA65R280C6
IPA65R280C6-ND
SP000720898
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R280C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R280C6XKSA1-ND
别名:IPI65R280C6
IPI65R280C6-ND
SP000785056
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50R199CPATMA1
仓库库存编号:
IPB50R199CPATMA1TR-ND
别名:IPB50R199CP
IPB50R199CP-ND
SP000236092
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 550V 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R199CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R199CPHKSA1-ND
别名:SP000236074
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R280C6FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R280C6FKSA1-ND
别名:IPW65R280C6
IPW65R280C6-ND
SP000785060
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 550V 17A(Tc) 139W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R199CPFKSA1
仓库库存编号:
IPW50R199CPFKSA1-ND
别名:IPW50R199CP
IPW50R199CP-ND
SP000236096
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 105A(Tc) 179W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB083N15N5LFATMA1
仓库库存编号:
IPB083N15N5LFATMA1-ND
别名:SP001503862
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 21A(Tc) 128W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R099C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R099C7AUMA1-ND
别名:SP001032722
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 24A(Tc) 128W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R095C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R095C7ATMA1-ND
别名:SP001080124
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA65R095C7XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R095C7XKSA1-ND
别名:SP001080126
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 24A(Tc) 128W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R095C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R095C7XKSA1-ND
别名:SP001080122
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 650V 24A(Tc) 128W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ65R095C7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ65R095C7XKSA1-ND
别名:SP001080130
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4NB100
仓库库存编号:
497-2647-5-ND
别名:497-2647-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP7NB60
仓库库存编号:
497-2761-5-ND
别名:497-2761-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB60N55F3
仓库库存编号:
497-5954-1-ND
别名:497-5954-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60N55F3
仓库库存编号:
497-7528-5-ND
别名:497-7528-5
STP60N55F3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
STW14NM65N
仓库库存编号:
497-7032-5-ND
别名:497-7032-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 42A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 42A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF60N55F3
仓库库存编号:
STF60N55F3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
IRF630FP
仓库库存编号:
497-12489-5-ND
别名:497-12489-5
IRF630FP-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
STI14NM65N
仓库库存编号:
STI14NM65N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 12A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF14NM65N
仓库库存编号:
497-10316-5-ND
别名:497-10316-5
STF14NM65N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 450V 3.4A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI734G
仓库库存编号:
IRFI734G-ND
别名:*IRFI734G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 450V 4.9A(Tc) I2PAK
型号:
IRF734L
仓库库存编号:
IRF734L-ND
别名:*IRF734L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8109(TE12L)
仓库库存编号:
TPC8109CT-ND
别名:TPC8109CT
TPC8109TE12L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIB5N50LPBF
仓库库存编号:
IRFIB5N50LPBF-ND
别名:*IRFIB5N50LPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 45nC @ 10V,
无铅
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