产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 60V 17A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFZ24L
仓库库存编号:
IRFZ24L-ND
别名:*IRFZ24L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 17A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24STRL
仓库库存编号:
IRFZ24STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 17A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24STRR
仓库库存编号:
IRFZ24STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.34A(Ta) 730mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS3P03R2
仓库库存编号:
NTMS3P03R2OS-ND
别名:NTMS3P03R2OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.34A(Ta) 730mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD3P102R2
仓库库存编号:
NTMSD3P102R2OS-ND
别名:NTMSD3P102R2OS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU020PBF
仓库库存编号:
IRFU020PBF-ND
别名:*IRFU020PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.34A(Ta) 730mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS3P03R2G
仓库库存编号:
NTMS3P03R2GOS-ND
别名:NTMS3P03R2GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 2.34A(Ta) 730mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD3P102R2G
仓库库存编号:
NTMSD3P102R2GOS-ND
别名:NTMSD3P102R2GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.34A(Ta) 730mW(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMSD3P303R2G
仓库库存编号:
NTMSD3P303R2GOS-ND
别名:NTMSD3P303R2GOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3682
仓库库存编号:
FDS3682-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 2.5W(Ta),46W(Tc) D-Pak
型号:
FQD630TF
仓库库存编号:
FQD630TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 78W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP630TSTU
仓库库存编号:
FQP630TSTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 9A(Tc) 78W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP630
仓库库存编号:
FQP630-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7A(Tc) 2.5W(Ta),46W(Tc) D-Pak
型号:
FQD630TM
仓库库存编号:
FQD630TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3.13W(Ta),78W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB630TM
仓库库存编号:
FQB630TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 22.7A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD30N06TF
仓库库存编号:
FQD30N06TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD19N10TF
仓库库存编号:
FQD19N10TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 5.7A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 200V 5.7A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) I-Pak
型号:
FQU7P20TU
仓库库存编号:
FQU7P20TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 200V 7.3A(Tc) 90W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7P20
仓库库存编号:
FQP7P20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 60V 21A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF30N06
仓库库存编号:
FQPF30N06-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 2.5W(Ta),61W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N50CTF
仓库库存编号:
FQD6N50CTF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 19A(Tc) 3.75W(Ta),75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB19N10TM
仓库库存编号:
FQB19N10TM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 2.5W(Ta),61W(Tc) I-Pak
型号:
FQU6N50CTU
仓库库存编号:
FQU6N50CTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 19A(Tc) 75W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N10
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FQP19N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 5.7A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7P20TF
仓库库存编号:
FQD7P20TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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