产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPI180N10N3 G
IPI180N10N3 G-ND
IPI180N10N3G
SP000683076
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R350CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R350CPXKSA1-ND
别名:IPP50R350CP
IPP50R350CPIN
IPP50R350CPIN-ND
IPP50R350CPXK
SP000680940
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 10A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R350CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R350CPHKSA1-ND
别名:SP000236069
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP04N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP04N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681024
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 10A(Tc) 89W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R350CPFKSA1
仓库库存编号:
IPW50R350CPFKSA1-ND
别名:IPW50R350CP
IPW50R350CP-ND
SP000301164
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF10NM65N
仓库库存编号:
STF10NM65N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP10NM65N
仓库库存编号:
497-7499-5-ND
别名:497-7499-5
STP10NM65N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 9A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 650V 9A(Tc) 90W(Tc) I-Pak
型号:
STU10NM65N
仓库库存编号:
STU10NM65N-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 55A(Tc) 60W(Tc) D-Pak
型号:
STD55N4F5
仓库库存编号:
497-10706-1-ND
别名:497-10706-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 17A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ24
仓库库存编号:
IRFZ24-ND
别名:*IRFZ24
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
型号:
NDT452P
仓库库存编号:
NDT452PDKR-ND
别名:NDT452PDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
NDS9400A
仓库库存编号:
NDS9400ACT-ND
别名:NDS9400ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 14A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIZ24G
仓库库存编号:
IRFIZ24G-ND
别名:*IRFIZ24G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR020
仓库库存编号:
IRFR020-ND
别名:*IRFR020
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR020TR
仓库库存编号:
IRFR020TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR020TRL
仓库库存编号:
IRFR020TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR024
仓库库存编号:
IRFR024-ND
别名:*IRFR024
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR024TR
仓库库存编号:
IRFR024TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU020
仓库库存编号:
IRFU020-ND
别名:*IRFU020
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含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU024
仓库库存编号:
IRFU024-ND
别名:*IRFU024
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 17A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24S
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IRFZ24S-ND
别名:*IRFZ24S
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR020TRR
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产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR024TRL
仓库库存编号:
IRFR024TRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR024TRR
仓库库存编号:
IRFR024TRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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