产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 250V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 208W(Tc) TO-220
型号:
AOT20N25L
仓库库存编号:
785-1588-5-ND
别名:AOT20N25L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.4A(Ta),75A(Tc) 920mW(Ta),48W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4899NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4899NFT1GOSTR-ND
别名:NTMFS4899NFT1GOSTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 14A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 6A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5116PLWFTWG
仓库库存编号:
NVTFS5116PLWFTWG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 10A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 10A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RCD100N20TL
仓库库存编号:
RCD100N20TL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 14A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 6A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5116PLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5116PLWFTAG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 14A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR024TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR024TRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80V 55A(Tc) 72W(Tc) TO-220
型号:
TK35E08N1,S1X
仓库库存编号:
TK35E08N1S1X-ND
别名:TK35E08N1,S1X(S
TK35E08N1S1X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.5A(Tc) 125W(Tc) TO-251
型号:
DMG7N65SJ3
仓库库存编号:
DMG7N65SJ3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
CONSUMER
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180P7SAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R180P7SAUMA1CT-ND
别名:IPD60R180P7SAUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK10A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK10A60DSTA4QM-ND
别名:TK10A60DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A50D(STA4QM)-ND
别名:TK12A50D(STA4QM)
TK12A50DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFZ24STRRPBF
仓库库存编号:
IRFZ24STRRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 3.7W(Ta),60W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24STRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ24STRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.6W(Ta),30W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8052-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8052-H(TE12LQMCT-ND
别名:TPCA8052-H(TE12LQMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD024
仓库库存编号:
IRFD024-ND
别名:*IRFD024
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 102W(Tc) TO-220-3
型号:
TK13E25D,S1X(S
仓库库存编号:
TK13E25DS1X(S-ND
别名:TK13E25DS1X(S
TK13E25DS1XS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK13A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK13A45D(STA4QM)-ND
别名:TK13A45D(STA4QM)
TK13A45DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK12A53D(STA4QM)-ND
别名:TK12A53D(STA4QM)
TK12A53DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 11A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK11A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK11A55D(STA4QM)-ND
别名:TK11A55D(STA4QM)
TK11A55DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R180P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R180P7SXKSA1-ND
别名:SP001606066
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Ta) 110W(Tc) TO-220
型号:
TK12E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK12E60WS1VX-ND
别名:TK12E60W,S1VX(S
TK12E60WS1VX
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 327W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N60P3
仓库库存编号:
IXFH14N60P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 11.5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A60W,S4VX
仓库库存编号:
TK12A60WS4VX-ND
别名:TK12A60W,S4VX(M
TK12A60WS4VX
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 22A(Ta),69A(Tc) 2.2W(Ta),28W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF035NE2LQXUMA1
仓库库存编号:
BSF035NE2LQXUMA1-ND
别名:SP001034234
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 40A(Tc) 63W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ084N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ084N08NS5ATMA1-ND
别名:SP001227056
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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