产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A ICEPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),66A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) 4-ICEPAK - B1 PAD(4.8x3.8)
型号:
NTMKB4895NT1G
仓库库存编号:
NTMKB4895NT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3481DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3481DV-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 150V 18A(Tc) 88W(Tc) TO-220-3
型号:
SUP18N15-95-E3
仓库库存编号:
SUP18N15-95-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 9.5A ECH8
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 9.5A(Ta) 1.6W(Ta) 8-ECH
型号:
ECH8320-TL-H
仓库库存编号:
ECH8320-TL-H-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 45A(Ta) DPAK
型号:
TK45P03M1,RQ(S
仓库库存编号:
TK45P03M1RQ(S-ND
别名:TK45P03M1RQ(S
TK45P03M1RQS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 40A(Ta) 55W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0454DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0454DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK0454DPB-00#J5CT
RJK0454DPB00J5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 14A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 300V 14A(Tc) 35W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF14N30T
仓库库存编号:
FDPF14N30T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 10A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Ta),46A(Tc) 2.5W(Ta),71.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2610
仓库库存编号:
785-1349-1-ND
别名:785-1349-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11.5A(Ta) 100W(Tc) DPAK
型号:
TK12P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK12P60WRVQCT-ND
别名:TK12P60WRVQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11.5A(Ta) 100W(Tc) I-Pak
型号:
TK12Q60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK12Q60WS1VQ-ND
别名:TK12Q60WS1VQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11.5A(Ta) 104W(Tc) 5-DFN(8x8)
型号:
TK12V60W,LVQ
仓库库存编号:
TK12V60WLVQCT-ND
别名:TK12V60WLVQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 8A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4292
仓库库存编号:
785-1657-1-ND
别名:785-1657-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4A(Tc) 38.7W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M004A090FH
仓库库存编号:
GP1M004A090FH-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4A(Tc) 123W(Tc) TO-220
型号:
GP1M004A090H
仓库库存编号:
GP1M004A090H-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM6N50CH C5G
仓库库存编号:
TSM6N50CH C5G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGTR-ND
别名:TSM6N50CP ROGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGCT-ND
别名:TSM6N50CP ROGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.6A(Ta) 90W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM6N50CP ROG
仓库库存编号:
TSM6N50CP ROGDKR-ND
别名:TSM6N50CP ROGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.3A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7204TR
仓库库存编号:
IRF7204CT-ND
别名:*IRF7204TR
IRF7204CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 48W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520N
仓库库存编号:
IRF520N-ND
别名:*IRF520N
SP001571320
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.6A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4310TR
仓库库存编号:
IRFL4310CT-ND
别名:*IRFL4310TR
IRFL4310CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 7.6A(Tc) 30W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFI520N
仓库库存编号:
IRFI520N-ND
别名:*IRFI520N
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NS
仓库库存编号:
IRF520NS-ND
别名:*IRF520NS
SP001559622
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.6A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7326D2TR
仓库库存编号:
IRF7326D2CT-ND
别名:IRF7326D2CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF520NL
仓库库存编号:
IRF520NL-ND
别名:*IRF520NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V,
含铅
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