产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3A(Tc) 1.25W(Ta) SOT-23
型号:
TSM2307CX RFG
仓库库存编号:
TSM2307CX RFGDKR-ND
别名:TSM2307CX RFGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 33A(Tc) 45W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y21-40EX
仓库库存编号:
1727-1108-1-ND
别名:1727-1108-1
568-10263-1
568-10263-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 840MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 150V 840mA(Tc) 3W(Tc) TO-236(SOT-23)
型号:
SQ2325ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2325ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2325ES-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120ZTRPBF
仓库库存编号:
IRFR120ZTRPBFCT-ND
别名:IRFR120ZTRPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.4A(Tc) 45W(Tc) I-Pak
型号:
STD2NK60Z-1
仓库库存编号:
497-12555-5-ND
别名:497-12555-5
STD2NK60Z-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 200V 6.6A(Tc) 63W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP7N20
仓库库存编号:
FQP7N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 600V 1.4A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF2NK60Z
仓库库存编号:
497-12576-5-ND
别名:497-12576-5
STF2NK60Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP9N65M2
仓库库存编号:
497-15042-5-ND
别名:497-15042-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 60W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU2N105K5
仓库库存编号:
497-15282-5-ND
别名:497-15282-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R1K4CFDBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.8A(Tc) 1.25W(Ta),2.1W(Tc)
型号:
SI2366DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2366DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2366DS-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 250mW(Ta) SOT-23
型号:
SI2303-TP
仓库库存编号:
SI2303-TPMSCT-ND
别名:SI2303-TPMSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Ta) 250mW(Ta) SOT-23
型号:
SI2304-TP
仓库库存编号:
SI2304-TPMSCT-ND
别名:SI2304-TPMSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.13A(Ta) 400mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
NVTR4502PT1G
仓库库存编号:
NVTR4502PT1GOSCT-ND
别名:NVTR4502PT1GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 32W(Tc) TO-252
型号:
IPD80R1K4P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K4P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K4P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223
型号:
DMN10H120SE-13
仓库库存编号:
DMN10H120SE-13DICT-ND
别名:DMN10H120SE-13DICT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 3W(Ta),22.9W(Tc) 8-HSOP
型号:
RS1E150GNTB
仓库库存编号:
RS1E150GNTBCT-ND
别名:RS1E150GNTBCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD3N80
仓库库存编号:
785-1620-1-ND
别名:785-1620-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.8A(Tc) 48W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL9N60M2
仓库库存编号:
497-14970-1-ND
别名:497-14970-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 101W(Tc) TO-247-3
型号:
IPW80R280P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW80R280P7XKSA1-ND
别名:SP001422758
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 45W(Tc) TO-220
型号:
STP2N95K5
仓库库存编号:
497-14280-5-ND
别名:497-14280-5
STP2N95K5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9N60M2
仓库库存编号:
497-13833-5-ND
别名:497-13833-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU9N65M2
仓库库存编号:
497-15046-5-ND
别名:497-15046-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Tc) 20W(Tc) TO-220FP
型号:
STF9N65M2
仓库库存编号:
497-15037-5-ND
别名:497-15037-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 5.5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP9N60M2
仓库库存编号:
497-13843-5-ND
别名:497-13843-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10nC @ 10V,
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