产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 38A(Ta),200A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLWFAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLWFAFT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 38A(Ta),200A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLAFT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7104DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7104DN-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 5.2W(Ta),69.4W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7370ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7370ADP-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 40A(Tc) 136W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQR40N10-25_GE3
仓库库存编号:
SQR40N10-25_GE3-ND
别名:SQR40N10-25-GE3
SQR40N10-25-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7104DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7104DN-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 200A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLWFT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Ta),200A(Tc) 3.8W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C430NLWFAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C430NLWFAFT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF12N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHF12N65E-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 156W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB12N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHB12N65E-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 40A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 166W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM40N15-38_GE3
仓库库存编号:
SQM40N15-38_GE3-ND
别名:SQM40N15-38-GE3
SQM40N15-38-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
UNIFET 250V
详细描述:通孔 N 沟道 51A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF51N25RDTU
仓库库存编号:
FDPF51N25RDTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP36N30T
仓库库存编号:
IXTP36N30T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA36N30T
仓库库存编号:
IXTA36N30T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 42A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP42N25P
仓库库存编号:
IXTP42N25P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 62A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 350W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP62N15P
仓库库存编号:
IXTP62N15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD40N10-25_GE3
仓库库存编号:
SQD40N10-25_GE3-ND
别名:SQD40N10-25-GE3
SQD40N10-25-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 42A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA42N25P
仓库库存编号:
IXTA42N25P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA50N20P
仓库库存编号:
IXTA50N20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 62A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 62A(Tc) 350W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA62N15P
仓库库存编号:
IXTA62N15P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP50N20P
仓库库存编号:
IXTP50N20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 90W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
IXTP50N20PM
仓库库存编号:
IXTP50N20PM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ42N25P
仓库库存编号:
IXTQ42N25P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ50N20P
仓库库存编号:
IXTQ50N20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 70nC @ 10V,
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