产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 7.5A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8022-H(TE12LQ,M
仓库库存编号:
TPC8022-H(TE12LQ,M-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.2A(Ta) 1W(Ta),30W(Tc) PS-8 (2.9x2.4)
型号:
TPCP8001-H(TE85LFM
仓库库存编号:
TPCP8001-H(TE85LFM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.8A(Ta) 2.8W(Ta) SOT-223-4
型号:
SFM9014TF
仓库库存编号:
SFM9014TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5.3A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5.3A(Tc) 2.5W(Ta),24W(Tc) D-Pak
型号:
SFR9014TF
仓库库存编号:
SFR9014TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.5A(Ta) TO-220SIS
型号:
TK4A60DA(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A60DA(STA4QM)-ND
别名:TK4A60DA(STA4QM)
TK4A60DASTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.8A(Tc) 2.4W(Ta),4.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4102DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4102DY-T1-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 4A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 525V 4A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A53D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A53D(STA4QM)-ND
别名:TK4A53D(STA4QM)
TK4A53DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 550V 4A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A55D(STA4QM)-ND
别名:TK4A55D(STA4QM)
TK4A55DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.7A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK4A60DB(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK4A60DB(STA4QM)-ND
别名:TK4A60DB(STA4QM)
TK4A60DBSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 4A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P55D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P55D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P55DT6RSSQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.5A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P60DA(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P60DA(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P60DAT6RSSQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.7A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK4P60DB(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK4P60DB(T6RSS-Q)-ND
别名:TK4P60DBT6RSSQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 39A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 39A(Tc) 30W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN010-25YLC,115
仓库库存编号:
568-8525-1-ND
别名:568-8525-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.5A(Tc) 2W(Ta),28W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
2SK4197LS
仓库库存编号:
2SK4197LS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4478
仓库库存编号:
785-1289-1-ND
别名:785-1289-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.3A TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.3A(Tc) 2W(Ta),28W(Tc) TO-220-3
型号:
2SK4197FS
仓库库存编号:
2SK4197FS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.2A(Ta) 540mW(Ta),6.25W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN25EN,115
仓库库存编号:
568-10416-1-ND
别名:568-10416-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 6A SC-73
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 820mW(Ta),8.33W(Tc) SOT-223
型号:
PMT29EN,115
仓库库存编号:
568-10828-1-ND
别名:568-10828-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 92.5W(Tc) D-Pak
型号:
GP1M005A050CH
仓库库存编号:
GP1M005A050CH-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M005A050FH
仓库库存编号:
GP1M005A050FH-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 92.5W(Tc) TO-220
型号:
GP1M005A050H
仓库库存编号:
GP1M005A050H-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 92.5W(Tc) I-Pak
型号:
GP1M005A050PH
仓库库存编号:
GP1M005A050PH-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4A(Tc) 32W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M005A050FSH
仓库库存编号:
1560-1159-5-ND
别名:1560-1159-1
1560-1159-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4A(Tc) 92.5W(Tc) TO-220
型号:
GP1M005A050HS
仓库库存编号:
1560-1160-5-ND
别名:1560-1160-1
1560-1160-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2A(Tc) 57W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU2N60A
仓库库存编号:
AOU2N60A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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