产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Tc) 3.3W(Ta) SOT-223
型号:
STN3N40K3
仓库库存编号:
497-11222-1-ND
别名:497-11222-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.9A(Ta) 1.2W(Ta) SOT-89
型号:
CXDM3069N TR
仓库库存编号:
CXDM3069N CT-ND
别名:CXDM3069N CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 700V 2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 28W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2N70
仓库库存编号:
FQPF2N70-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD78CN10NGBUMA1
仓库库存编号:
IPD78CN10NGBUMA1CT-ND
别名:IPD78CN10N GCT
IPD78CN10N GCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC2612
仓库库存编号:
FDC2612CT-ND
别名:FDC2612CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta),26A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86105
仓库库存编号:
FDMS86105CT-ND
别名:FDMS86105CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 400V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 30W(Tc) DPAK
型号:
STD3N40K3
仓库库存编号:
497-13265-1-ND
别名:497-13265-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 400mW(Ta),8.3W(Tc) DFN1010D-3
型号:
PMXB120EPEZ
仓库库存编号:
PMXB120EPEZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU2N60
仓库库存编号:
AOU2N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 57W(Tc) TO-251A
型号:
AOI2N60A
仓库库存编号:
785-1646-5-ND
别名:785-1646-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 57W(Tc) TO-251
型号:
AOY2N60
仓库库存编号:
AOY2N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 56.8W(Tc) TO-251A
型号:
AOI2N60
仓库库存编号:
AOI2N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 51W(Tc) DPAK
型号:
PHD20N06T,118
仓库库存编号:
PHD20N06T,118-ND
别名:934056617118
PHD20N06T /T3
PHD20N06T /T3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Tc) 2.5W(Ta),26W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
SSU1N50BTU
仓库库存编号:
SSU1N50BTU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK5P50D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK5P50D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK5P50DT6RSSQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 80W(Tc) D-Pak
型号:
TK5P53D(T6RSS-Q)
仓库库存编号:
TK5P53D(T6RSS-Q)-ND
别名:TK5P53DT6RSSQ
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R1K2P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K2P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K2P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 10A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ14STRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ14STRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11S60
仓库库存编号:
AOTF11S60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 178W(Tc) TO-262
型号:
AOW11S60
仓库库存编号:
AOW11S60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 28W(Tc)
型号:
AOWF11S60
仓库库存编号:
AOWF11S60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF11S60L
仓库库存编号:
AOTF11S60L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 650mA(Ta),8A(Tc) 8.3W(Ta),156W(Tc) 4-DFN-EP(8x8)
型号:
AOV11S60
仓库库存编号:
785-1683-1-ND
别名:785-1683-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 208W(Tc) TO-251A
型号:
AOI11S60
仓库库存编号:
AOI11S60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK5A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK5A50D(STA4,Q,M)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 11nC @ 10V,
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