产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 10A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Tc) 125W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC16N50P
仓库库存编号:
IXFC16N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 4A(Tc) 225W(Tc) TO-220
型号:
APT4F120K
仓库库存编号:
APT4F120K-ND
别名:APT4F120KMI
APT4F120KMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 1200V 5A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT4M120K
仓库库存编号:
APT4M120K-ND
别名:APT4M120KMI
APT4M120KMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 5A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT5F100K
仓库库存编号:
APT5F100K-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 6A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT6M100K
仓库库存编号:
APT6M100K-ND
别名:APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 7A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT7F80K
仓库库存编号:
APT7F80K-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 8A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT8M80K
仓库库存编号:
APT8M80K-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4710
仓库库存编号:
785-1050-1-ND
别名:785-1050-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15.8A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK16A60W5,S4VX
仓库库存编号:
TK16A60W5S4VX-ND
别名:TK16A60W5S4VX
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 40A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJK2006DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJK2006DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 500V 19A TO3P
详细描述:通孔 N 沟道 500V 19A(Ta) 150W(Tc) TO-3P
型号:
RJL5014DPK-00#T0
仓库库存编号:
RJL5014DPK-00#T0-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 25A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Tc) 3W(Ta),6.25W(Tc) 8-SO
型号:
SI4752DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4752DY-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4710L_101
仓库库存编号:
AO4710L_101-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15D
仓库库存编号:
IRFR18N15D-ND
别名:*IRFR18N15D
SP001571432
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU18N15D
仓库库存编号:
IRFU18N15D-ND
别名:*IRFU18N15D
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTRL
仓库库存编号:
IRFR18N15DTRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTR
仓库库存编号:
IRFR18N15DTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 18A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR18N15DTRR
仓库库存编号:
IRFR18N15DTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44Z
仓库库存编号:
IRFZ44Z-ND
别名:*IRFZ44Z
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ZS
仓库库存编号:
IRFZ44ZS-ND
别名:*IRFZ44ZS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ44ZL
仓库库存编号:
IRFZ44ZL-ND
别名:*IRFZ44ZL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 51A(Tc) 80W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFZ44ZS
仓库库存编号:
AUIRFZ44ZS-ND
别名:SP001518774
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 43nC @ 10V,
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