产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (18)
Infineon Technologies (57)
IXYS (10)
Nexperia USA Inc. (1)
NXP USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (5)
ON Semiconductor (15)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (2)
STMicroelectronics (15)
Taiwan Semiconductor Corporation (2)
Texas Instruments (1)
Toshiba Semiconductor and Storage (5)
Vishay Siliconix (16)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10.6A(Tc) 31W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R380E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R380E6XKSA1-ND
别名:IPA60R380E6
IPA60R380E6-ND
SP000795300
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB9NK50ZT4
仓库库存编号:
497-12543-1-ND
别名:497-12543-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 11A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6011ENJTL
仓库库存编号:
R6011ENJTLCT-ND
别名:R6011ENJTLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45.1A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PHB45NQ15T,118
仓库库存编号:
1727-3057-1-ND
别名:1727-3057-1
568-2192-1
568-2192-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R380C6
仓库库存编号:
IPB60R380C6CT-ND
别名:IPB60R380C6CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 40A 1212
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS862DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS862DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS862DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R380C6ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7114ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7114ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7114ADN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.3A(Tc) 83W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R400CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R400CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R400CEATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 7.6A(Tc) 32W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA08N50C3
仓库库存编号:
SPA08N50C3IN-ND
别名:SP000216306
SPA08N50C3IN
SPA08N50C3X
SPA08N50C3XK
SPA08N50C3XKSA1
SPA08N50C3XTIN
SPA08N50C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP15N80K5
仓库库存编号:
497-13441-ND
别名:497-13441
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 90A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Ta),18A(Tc) 2.7W(Ta),45W(Tc) DIRECTFET? M2
型号:
AUIRF7675M2TR
仓库库存编号:
AUIRF7675M2CT-ND
别名:AUIRF7675M2CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF15N80K5
仓库库存编号:
497-13437-ND
别名:497-13437
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 59.5W(Tc) ITO-220S
型号:
TSM60NB190CF C0G
仓库库存编号:
TSM60NB190CF C0G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.25W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5424DC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5424DC-T1-E3TR-ND
别名:SI5424DC-T1-E3TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Ta) 630mW(Ta) 6-TSOP
型号:
NVGS4111PT1G
仓库库存编号:
NVGS4111PT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 43W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF12T50P
仓库库存编号:
785-1652-5-ND
别名:785-1652-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 33W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF12T50PL
仓库库存编号:
785-1712-5-ND
别名:785-1712-5
AOTF12T50PL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 46.5A(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIJ462DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIJ462DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIJ462DP-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.7W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C442NT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C442NT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 29A(Ta), 140A(Tc) 3.7W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C442NAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C442NAFT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.7W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C442NWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C442NWFT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 29A(Ta), 140A(Tc) 3.7W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C442NWFAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C442NWFAFT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 3.7W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C442NT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C442NT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 29A(Ta), 140A(Tc) 3.7W(Ta), 83W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C442NAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C442NAFT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 32nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号