产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 1.8W(Ta),120W(Tc) TO-220-3
型号:
NP80N055MHE-S18-AY
仓库库存编号:
NP80N055MHE-S18-AY-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),36W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7424
仓库库存编号:
AON7424-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 9A(Ta),127A(Tc) 1.9W(Ta),417W(Tc) TO-220
型号:
AOT474
仓库库存编号:
AOT474-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 70A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 30V 45A(Ta),70A(Tc) 7.5W(Ta),60W(Tc) TO-251A
型号:
AOI510
仓库库存编号:
785-1487-1-ND
别名:785-1487-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 36A DFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 33A(Ta),36A(Tc) 4.2W(Ta),83W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6506
仓库库存编号:
785-1496-1-ND
别名:785-1496-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 40A(Tc) 3.75W(Ta),107W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40N10-30-E3
仓库库存编号:
SUP40N10-30-E3-ND
别名:SUP40N10-30-E3CT
SUP40N10-30-E3CT-ND
SUP40N1030E3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A TO-254AA
详细描述:通孔 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-254AA
型号:
JAN2N7236
仓库库存编号:
JAN2N7236-ND
别名:JAN2N7236-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A TO-267AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-267AB
型号:
JAN2N7236U
仓库库存编号:
JAN2N7236U-ND
别名:JAN2N7236U-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述:通孔 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-254AA
型号:
JANTX2N7236
仓库库存编号:
JANTX2N7236-ND
别名:JANTX2N7236-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-267AB
型号:
JANTX2N7236U
仓库库存编号:
JANTX2N7236U-ND
别名:JANTX2N7236U-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述:通孔 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-254AA
型号:
JANTXV2N7236
仓库库存编号:
JANTXV2N7236-ND
别名:JANTXV2N7236-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-267AB
型号:
JANTXV2N7236U
仓库库存编号:
JANTXV2N7236U-ND
别名:JANTXV2N7236U-MIL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-254AA
详细描述:通孔 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-254AA
型号:
2N7236
仓库库存编号:
2N7236-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V SMD1
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 18A(Tc) 4W(Ta),125W(Tc) TO-267AB
型号:
2N7236U
仓库库存编号:
2N7236U-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 44A(Ta),85A(Tc) 6.2W(Ta),48W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6774
仓库库存编号:
785-1672-1-ND
别名:785-1672-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 150V 106A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 16A(Ta), 106A(Tc) 6.2W(Ta),277W(Tc) TO-262
型号:
AOW2502
仓库库存编号:
785-1728-5-ND
别名:785-1728-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 35A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 35A(Ta),85A(Tc) 6.2W(Ta), 113.5W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6232A
仓库库存编号:
785-1738-1-ND
别名:785-1738-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 23A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 23A(Ta),70A(Tc) 2.7W(Ta),150W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD240_001
仓库库存编号:
AOD240_001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 9A(Ta),127A(Tc) 1.9W(Ta),417W(Tc) TO-220-3
型号:
AOT474_002
仓库库存编号:
AOT474_002-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 16.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16.7A(Tc) 3.75W(Ta), 88.2W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM25P10-138-E3
仓库库存编号:
SUM25P10-138-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 16.3A(Tc) 3.1W(Ta), 73.5W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP25P10-138-GE3
仓库库存编号:
SUP25P10-138-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ44E
仓库库存编号:
IRFZ44E-ND
别名:*IRFZ44E
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ES
仓库库存编号:
IRFZ44ES-ND
别名:*IRFZ44ES
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 48A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44ESTRR
仓库库存编号:
IRFZ44ESTRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Tc) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4435DYTR
仓库库存编号:
SI4435DYTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 60nC @ 10V,
含铅
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