产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 620V
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 78W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD6N62ET1-GE3
仓库库存编号:
SIHD6N62ET1-GE3CT-ND
别名:SIHD6N62ET1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 6.2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 90W(Tc) DPAK
型号:
STD7N52K3
仓库库存编号:
497-10016-1-ND
别名:497-10016-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF18NM60ND
仓库库存编号:
497-13866-5-ND
别名:497-13866-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 169W(Tc) TO-247
型号:
STW26N60M2
仓库库存编号:
STW26N60M2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 63W(Tc) TO-3PF
型号:
STFW6N120K3
仓库库存编号:
497-12122-ND
别名:497-12122
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
型号:
TPC8132,LQ(S
仓库库存编号:
TPC8132LQ(S-ND
别名:TPC8132LQ(S
TPC8132LQS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C645NLAFT3G
仓库库存编号:
NVMFS5C645NLAFT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 44A(Ta) 48W(Tc) ATPAK
型号:
NVATS4A102PZT4G
仓库库存编号:
NVATS4A102PZT4G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C645NLAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C645NLAFT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C645NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C645NLT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C645NLT3G
仓库库存编号:
NTMFS5C645NLT3G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 22A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),79W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C645NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C645NLT1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 620V 6A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 620V 6A(Tc) 78W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
SIHU6N62E-GE3
仓库库存编号:
SIHU6N62E-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
型号:
TPC8062-H,LQ(CM
仓库库存编号:
TPC8062-HLQ(CM-ND
别名:TPC8062-HLQ(CM
TPC8062HLQCM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 28A(Ta) 1.6W(Ta),42W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8062-H,LQ(CM
仓库库存编号:
TPCA8062-HLQ(CM-ND
别名:TPCA8062-HLQ(CM
TPCA8062HLQCM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Ta) 60W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0455DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0455DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0455DPB-00#J5-ND
RJK0455DPB-00#J5TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 25V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),40A(Tc) 3.7W(Ta),42W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6796A
仓库库存编号:
FDD6796ACT-ND
别名:FDD6796ACT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 18A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9Z34STRRPBF
仓库库存编号:
IRF9Z34STRRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3PF3
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 3W(Ta),50W(Tc) TO-3P(L)
型号:
NDUL03N150CG
仓库库存编号:
NDUL03N150CGOS-ND
别名:NDUL03N150CGOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 56A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 56A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA56N15T
仓库库存编号:
IXTA56N15T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 56A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP56N15T
仓库库存编号:
IXTP56N15T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD60N10S412ATMA1
仓库库存编号:
IPD60N10S412ATMA1-ND
别名:SP001102936
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 29A(Tc) 68W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFZ34N
仓库库存编号:
AUIRFZ34N-ND
别名:SP001521138
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90R1K0C3XKSA1
仓库库存编号:
IPP90R1K0C3XKSA1-ND
别名:IPP90R1K0C3
IPP90R1K0C3-ND
SP000413744
SP000683094
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.7A(Tc) 89W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R1K0C3FKSA1
仓库库存编号:
IPW90R1K0C3FKSA1-ND
别名:IPW90R1K0C3
IPW90R1K0C3-ND
SP000413752
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 34nC @ 10V,
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