产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76419S3S
仓库库存编号:
HUFA76419S3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76419S3S
仓库库存编号:
HUF76419S3S-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF76419S3ST
仓库库存编号:
HUF76419S3ST-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 29A(Tc) 75W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA76419S3ST
仓库库存编号:
HUFA76419S3ST-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
2SK3565(Q,M)
仓库库存编号:
2SK3565QM-ND
别名:2SK3565(Q)
2SK3565(Q)-ND
2SK3565Q
2SK3565Q-ND
2SK3565QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.4A(Ta) 3.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4474
仓库库存编号:
785-1039-1-ND
别名:785-1039-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 46A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta),46A(Tc) 2W(Ta),43W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1426
仓库库存编号:
785-1124-1-ND
别名:785-1124-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta),24A(Tc) 2W(Ta),35W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6410
仓库库存编号:
785-1135-1-ND
别名:785-1135-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10A(Ta),26A(Tc) 3.1W(Ta),35W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7400
仓库库存编号:
785-1136-1-ND
别名:785-1136-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),22A(Tc) 2.4W(Ta),31W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6416
仓库库存编号:
785-1342-1-ND
别名:785-1342-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 33V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 33V 9A(Ta),60A(Tc) 1.9W(Ta),79W(Tc) TO-220
型号:
AOT502
仓库库存编号:
AOT502-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
RJL6012DPE-00#J3
仓库库存编号:
RJL6012DPE-00#J3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Tc) 51.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M011A050FSH
仓库库存编号:
GP1M011A050FSH-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 10A(Tc) 158W(Tc) TO-220
型号:
GP1M011A050HS
仓库库存编号:
GP1M011A050HS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 11A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 51.4W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M011A050FH
仓库库存编号:
1560-1178-5-ND
别名:1560-1178-1
1560-1178-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 11A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 158W(Tc) TO-220
型号:
GP1M011A050H
仓库库存编号:
1560-1179-5-ND
别名:1560-1179-1
1560-1179-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),55A(Tc) 2.3W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4144_003
仓库库存编号:
AOD4144_003-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13A TO251A
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),55A(Tc) 2.3W(Ta),50W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4144_002
仓库库存编号:
AOI4144_002-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3
型号:
AOT8N65_001
仓库库存编号:
AOT8N65_001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),55A(Tc) 2.3W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4144_002
仓库库存编号:
AOD4144_002-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201
仓库库存编号:
IRF7201-ND
别名:*IRF7201
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.3A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7201TR
仓库库存编号:
IRF7201TR-ND
别名:SP001564746
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO-220-3
型号:
SPP18P06PHKSA1
仓库库存编号:
SPP18P06PHKSA1-ND
别名:SP000012300
SPP18P06P
SPP18P06PIN
SPP18P06PIN-ND
SPP18P06PX
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PXTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 18.7A(Ta) 81.1W(Ta) PG-TO263-3
型号:
SPB18P06P
仓库库存编号:
SPB18P06P-ND
别名:SP000012329
SPB18P06PT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD088N04LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD088N04LGBTMA1TR-ND
别名:IPD088N04L G
IPD088N04L G-ND
SP000354798
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 28nC @ 10V,
无铅
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