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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ10N80P
  仓库库存编号：IXFQ10N80P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2N100
  仓库库存编号：IXTP2N100-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH10N80P
  仓库库存编号：IXFH10N80P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP10N80P
  仓库库存编号：IXFP10N80P-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 62W（Tc） PG-TDSON-8-34
  
  型号：IPC90N04S5L3R3ATMA1
  仓库库存编号：IPC90N04S5L3R3ATMA1-ND
  别名：SP001418122
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFS5615TRLPBF
  仓库库存编号：IRFS5615TRLPBFCT-ND
  别名：IRFS5615TRLPBFCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 33A（Tc） 144W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL5615PBF
  仓库库存编号：IRFSL5615PBF-ND
  别名：SP001567730
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 19A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 19A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP19NB20
  仓库库存编号：497-2650-5-ND
  别名：497-2650-5
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 14A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI15NM60ND
  仓库库存编号：STI15NM60ND-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7513-75B,127
  仓库库存编号：568-5719-5-ND
  别名：568-5719
  568-5719-5
  568-5719-ND
  934057746127
  BUK7513-75B
  BUK7513-75B,127-ND
  BUK7513-75B-ND
  BUK751375B127
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 10A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Tc） 8.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：BSP030,115
  仓库库存编号：568-6218-1-ND
  别名：568-6218-1
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 25A（Tc） 50W（Tc） TO-220
  
  型号：NDP603AL
  仓库库存编号：NDP603AL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS9405
  仓库库存编号：NDS9405CT-ND
  别名：NDS9405CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 25A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Tc） 50W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：NDB603AL
  仓库库存编号：NDB603ALCT-ND
  别名：NDB603ALCT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL630
  仓库库存编号：IRL630-ND
  别名：*IRL630
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL630S
  仓库库存编号：IRL630S-ND
  别名：*IRL630S
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL630STRL
  仓库库存编号：IRL630STRL-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 6.2A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRLI630G
  仓库库存编号：IRLI630G-ND
  别名：*IRLI630G
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL630STRR
  仓库库存编号：IRL630STRR-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） 20W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2096H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2096H-EL-E-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 13A（Ta） 3W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4080N3
  仓库库存编号：FDS4080N3CT-ND
  别名：FDS4080N3_NLCT
  FDS4080N3_NLCT-ND
  FDS4080N3CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 13A（Ta） 3.9W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4080N7
  仓库库存编号：FDS4080N7CT-ND
  别名：FDS4080N7_NLCT
  FDS4080N7_NLCT-ND
  FDS4080N7CT
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4780
  仓库库存编号：FDS4780-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 14A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50V 14A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP14N05L
  仓库库存编号：RFP14N05L-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 7.3A TO-220F
  详细描述：通孔 P 沟道 200V 7.3A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF12P20
  仓库库存编号：FQPF12P20-ND
  
  产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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