产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 32A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 4.2A(Ta),32A(Tc) 2.1W(Ta),125W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB254L
仓库库存编号:
785-1468-1-ND
别名:785-1468-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) I-Pak
型号:
SIHU7N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHU7N60E-GE3-ND
别名:SIHU7N60EGE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 3A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3A(Tc) 51W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N90
仓库库存编号:
FQPF5N90-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.2A(Tc) 31W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF380N60
仓库库存编号:
FCPF380N60FS-ND
别名:FCPF380N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
SIHD7N60E-E3
仓库库存编号:
SIHD7N60E-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7A(Tc) 78W(Tc) TO-251
型号:
SIHU7N60E-E3
仓库库存编号:
SIHU7N60E-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta) 1.65W(Ta),50W(Tc) TO-263-2
型号:
2SK3816-DL-1E
仓库库存编号:
2SK3816-DL-1E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP7N60E-E3
仓库库存编号:
SIHP7N60E-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF7N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF7N60E-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 106W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP380N60
仓库库存编号:
FCP380N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 40A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0656DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0656DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0656DPB-00#J5-ND
RJK0656DPB-00#J5TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Ta) 65W(Tc) LFPAK
型号:
RJK0856DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK0856DPB-00#J5TR-ND
别名:RJK0856DPB-00#J5-ND
RJK0856DPB-00#J5TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 700V 6.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 142W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N70
仓库库存编号:
FQP6N70-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630STRLPBF
仓库库存编号:
IRL630STRLPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRL630STRRPBF
仓库库存编号:
IRL630STRRPBF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 13A TO220FM
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
ZDX130N50
仓库库存编号:
ZDX130N50-ND
别名:ZDX130N50CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD25N15-52-T4-E3
仓库库存编号:
SUD25N15-52-T4-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK15A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK15A50D(STA4QM)-ND
别名:TK15A50D(STA4QM)
TK15A50DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SQD40N06-25L-GE3
仓库库存编号:
SQD40N06-25L-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A DTMOSIV
详细描述:通孔 N 沟道 15.8A(Ta) 40W(Tc) TO-220
型号:
TK16A60W,S4X
仓库库存编号:
TK16A60WS4X-ND
别名:TK16A60WS4X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
DI9405T
仓库库存编号:
DI9405CT-ND
别名:DI9405
DI9405CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA10N80P
仓库库存编号:
IXFA10N80P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 14A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Ta) 50W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK14A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK14A55D(STA4QM)-ND
别名:TK14A55D(STA4QM)
TK14A55DSTA4QM
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) I2PAK
型号:
TK14C65W5,S1Q
仓库库存编号:
TK14C65W5S1Q-ND
别名:TK14C65W5,S1Q(S
TK14C65W5,S1Q(S2
TK14C65W5,S1Q-ND
TK14C65W5S1Q
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 37A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 37A(Tc) 417W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB42S60L
仓库库存编号:
AOB42S60L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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