产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 14.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 14.4A(Tc) 147W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP14N30
仓库库存编号:
FQP14N30-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP7N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP7N60E-GE3-ND
别名:SIHP7N60EGE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 31W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF7N60E-E3
仓库库存编号:
SIHF7N60E-E3-ND
别名:SIHF7N60EE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 198W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA6N90C_F109
仓库库存编号:
FQA6N90C_F109-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6015ENX
仓库库存编号:
R6015ENX-ND
别名:R6015ENXCT
R6015ENXCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 120W(Tc) TO-3PF
型号:
R6015ENZC8
仓库库存编号:
R6015ENZC8-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLI630GPBF
仓库库存编号:
IRLI630GPBF-ND
别名:*IRLI630GPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 68W(Tc) TO-220FM
型号:
R6020KNX
仓库库存编号:
R6020KNX-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 20A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 68W(Tc) TO-3PF
型号:
R6020KNZC8
仓库库存编号:
R6020KNZC8-ND
别名:R6020KNZC8TR
R6020KNZC8TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 20A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 231W(Tc) TO-247
型号:
R6020KNZ1C9
仓库库存编号:
R6020KNZ1C9-ND
别名:R6020KNZ1C9TR
R6020KNZ1C9TR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) TO-220
型号:
TK14E65W5,S1X
仓库库存编号:
TK14E65W5S1X-ND
别名:TK14E65W5,S1X(S
TK14E65W5S1X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 180W(Tc) TO-220
型号:
TK25E60X,S1X
仓库库存编号:
TK25E60XS1X-ND
别名:TK25E60X,S1X(S
TK25E60XS1X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF15N95K5
仓库库存编号:
497-14215-5-ND
别名:497-14215-5
STF15N95K5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 17A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),52A(Tc) 6.2W(Ta),57W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6294
仓库库存编号:
785-1667-1-ND
别名:785-1667-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 11.8A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF19N20
仓库库存编号:
FQPF19N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.4A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB19N20TM
仓库库存编号:
FQB19N20TMCT-ND
别名:FQB19N20TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 10.2A(Tc) 31W(Tc) TO-220F-3
型号:
FCPF380N60_F152
仓库库存编号:
FCPF380N60_F152-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 20A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 1.56W(Ta),40W(Tc) LPTS
型号:
RCJ200N20TL
仓库库存编号:
RCJ200N20TLCT-ND
别名:RCJ200N20TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 158W(Tc) H2Pak-2
型号:
STH140N6F7-2
仓库库存编号:
497-16314-1-ND
别名:497-16314-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 42W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF10N60ZUT
仓库库存编号:
FDPF10N60ZUT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 20A POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 231W(Tc) TO-263
型号:
R6020KNJTL
仓库库存编号:
R6020KNJTLCT-ND
别名:R6020KNJTLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A LPT
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 40W(Tc) LPTS(D2PAK)
型号:
R6015ENJTL
仓库库存编号:
R6015ENJTLCT-ND
别名:R6015ENJTLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S4L12ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S4L12ATMA2CT-ND
别名:IPD50N06S4L12ATMA2CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO065N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO065N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO065N03MS GINCT
BSO065N03MS GINCT-ND
BSO065N03MSG
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 157W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7613-75B,118
仓库库存编号:
1727-4704-1-ND
别名:1727-4704-1
568-5852-1
568-5852-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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