产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
DI9435T
仓库库存编号:
DI9435CT-ND
别名:DI9435
DI9435CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
DI9435T
仓库库存编号:
981-DI9435T-CHP
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号:
SQD70140EL_GE3TR-ND
别名:SQD70140EL_GE3TR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 71W(Tc) TO-252AA
型号:
SQD70140EL_GE3
仓库库存编号:
SQD70140EL_GE3CT-ND
别名:SQD70140EL_GE3-ND
SQD70140EL_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 18.3A(Tc) 2.3W(Ta),38.5W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD19P06-60-E3
仓库库存编号:
SUD19P06-60-E3CT-ND
别名:SUD19P06-60-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ465EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ465EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ465EP-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
NTD6414ANT4G
仓库库存编号:
NTD6414ANT4GOSCT-ND
别名:NTD6414ANT4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 78A 8-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),78A(Tc) 7.4W(Ta),78W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6284
仓库库存编号:
785-1626-1-ND
别名:785-1626-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 60V 17A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),40A(Tc) 3W(Ta),73W(Tc) Dual Cool ? 33
型号:
FDMC86520DC
仓库库存编号:
FDMC86520DCCT-ND
别名:FDMC86520DCCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) D2PAK
型号:
TK14G65W5,RQ
仓库库存编号:
TK14G65W5RQCT-ND
别名:TK14G65W5RQCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 19A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 215W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP19N40
仓库库存编号:
FDP19N40-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 250W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
STB20N90K5
仓库库存编号:
497-17086-1-ND
别名:497-17086-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 19.5A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
STB25N80K5
仓库库存编号:
497-13640-1-ND
别名:497-13640-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),45W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ058N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ058N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSZ058N03MSGINCT
BSZ058N03MSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 144W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4615TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4615TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4615TRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC052N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC052N08NS5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Ta) 2W(Ta),25W(Tc) TO-220F-3SG
型号:
2SK3703-1E
仓库库存编号:
2SK3703-1EOS-ND
别名:2SK3703-1E-ND
2SK3703-1EOS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
AOT10N60
仓库库存编号:
785-1191-5-ND
别名:785-1191-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 19.4A(Tc) 140W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP19N20
仓库库存编号:
FQP19N20FS-ND
别名:FQP19N20-ND
FQP19N20FS
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 167W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP6N90C
仓库库存编号:
FQP6N90C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N90C
仓库库存编号:
FQPF6N90C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 33.3W(Tc) TO-220F-3
型号:
FDPF085N10A
仓库库存编号:
FDPF085N10A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V TO220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK12A50E,S4X
仓库库存编号:
TK12A50ES4X-ND
别名:TK12A50E,S4X(S
TK12A50E,S5X
TK12A50E,S5X(M
TK12A50ES4X
TK12A50ES4X(S
TK12A50ES4X(S-ND
TK12A50ES5X
TK12A50ES5X-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK14A65W5,S5X
仓库库存编号:
TK14A65W5S5X-ND
别名:TK14A65W5,S5X(M
TK14A65W5,S5X-ND
TK14A65W5S5X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 20A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 2.23W(Ta),40W(Tc) TO-220FM
型号:
RCX200N20
仓库库存编号:
RCX200N20-ND
别名:RCX200N20CT
RCX200N20CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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