产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (45)
Diodes Incorporated (3)
Global Power Technologies Group (2)
Infineon Technologies (19)
IXYS (7)
Micro Commercial Co (2)
Microsemi Corporation (4)
Nexperia USA Inc. (5)
NXP USA Inc. (7)
Fairchild/ON Semiconductor (60)
ON Semiconductor (12)
Renesas Electronics America (4)
Rohm Semiconductor (12)
STMicroelectronics (30)
Texas Instruments (1)
Toshiba Semiconductor and Storage (16)
Vishay Siliconix (39)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 19.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF25N80K5
仓库库存编号:
497-13644-5-ND
别名:497-13644-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
FDS86240
仓库库存编号:
FDS86240CT-ND
别名:FDS86240CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 39A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 417W(Tc) TO-220
型号:
AOT42S60L
仓库库存编号:
785-1515-5-ND
别名:AOT42S60L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 39A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 39A(Tc) 37.9W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF42S60L
仓库库存编号:
785-1272-5-ND
别名: AOTF42S60L
785-1272-5
AOTF42S60
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 17.5A(Tc) 250W(Tc) TO-247
型号:
STWA20N95K5
仓库库存编号:
497-14583-5-ND
别名:497-14583-5
STWA20N95K5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 78W(Tc) D-Pak
型号:
SIHD7N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHD7N60E-GE3-ND
别名:SIHD7N60EGE3
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
STP20N90K5
仓库库存编号:
497-17087-ND
别名:497-17087
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 250W(Tc) TO-247
型号:
STW20N90K5
仓库库存编号:
497-17089-ND
别名:497-17089
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 17.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF20N95K5
仓库库存编号:
497-12975-5-ND
别名:497-12975-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF20N90K5
仓库库存编号:
497-17088-ND
别名:497-17088
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),71A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC057N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC057N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC057N03MSGINCT
BSC057N03MSGINCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
STB11NM60FDT4
仓库库存编号:
497-3511-1-ND
别名:497-3511-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 13.7A(Ta) 130W(Tc) TO-247
型号:
TK14N65W5,S1F
仓库库存编号:
TK14N65W5S1F-ND
别名:TK14N65W5,S1F(S
TK14N65W5S1F
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK25A60X,S5X
仓库库存编号:
TK25A60XS5X-ND
别名:TK25A60X,S5X(M
TK25A60XS5X
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Ta) 180W(Tc) TO-247
型号:
TK25N60X,S1F
仓库库存编号:
TK25N60XS1F-ND
别名:TK25N60X,S1F(S
TK25N60XS1F
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STP11NM60FDFP
仓库库存编号:
497-5392-5-ND
别名:497-5392-5
STP11NM60FDFP-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
STW15NM60ND
仓库库存编号:
497-8452-5-ND
别名:497-8452-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 12A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 170W(Tc) TO-247
型号:
STW15N95K5
仓库库存编号:
497-14291-5-ND
别名:497-14291-5
STW15N95K5-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 19.5A(Tc) 250W(Tc) TO-220
型号:
STP25N80K5
仓库库存编号:
497-13653-5-ND
别名:497-13653-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 19.5A(Tc) 250W(Tc) TO-247
型号:
STW25N80K5
仓库库存编号:
497-13659-5-ND
别名:497-13659-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
Micro Commercial Co
N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SOP
型号:
MCQ4410-TP
仓库库存编号:
MCQ4410-TPMSCT-ND
别名:MCQ4410-TPMSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 74W(Tc) 8-VSONP(5x6)
型号:
CSD18514Q5AT
仓库库存编号:
296-45232-1-ND
别名:296-45232-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS4435BZ_F085
仓库库存编号:
FDS4435BZ_F085CT-ND
别名:FDS4435BZ_F085CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4264
仓库库存编号:
785-1697-1-ND
别名:785-1697-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 4.6A 8SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.6A(Tc) 3.75W(Tc) 8-SO
型号:
SQ9407EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ9407EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ9407EY-T1_GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号