产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 12A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 12A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
STP12PF06
仓库库存编号:
497-2721-5-ND
别名:497-2721-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530
仓库库存编号:
497-2780-5-ND
别名:497-2780-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 10A(Tc) 40W(Tc) D-Pak
型号:
STD10PF06T4
仓库库存编号:
497-2456-1-ND
别名:497-2456-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.5A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223
型号:
STN3PF06
仓库库存编号:
497-4116-1-ND
别名:497-4116-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 8A TO-220FP
详细描述:通孔 P 沟道 60V 8A(Tc) 225W(Tc) TO-220FP
型号:
STF12PF06
仓库库存编号:
STF12PF06-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 34A(Tc) 65W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN023-80LS,115
仓库库存编号:
568-5583-1-ND
别名:568-5583-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 6A(Tc) 1.75W(Ta),50W(Tc) DPAK
型号:
MTD6N20ET4
仓库库存编号:
MTD6N20ET4OSCT-ND
别名:MTD6N20ET4OSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 6A(Tc) 1.75W(Ta),50W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD6N20ET4G
仓库库存编号:
MTD6N20ET4GOSCT-ND
别名:MTD6N20ET4GOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Ta) 15W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2175H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2175H-EL-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1.24A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7802DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7802DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7802DN-T1-E3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta),28A(Tc) 2.5W(Ta),41W(Tc) Power56
型号:
FDMS8692
仓库库存编号:
FDMS8692CT-ND
别名:FDMS8692CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 25A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD484
仓库库存编号:
785-1114-1-ND
别名:785-1114-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1.24A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7802DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7802DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7802DN-T1-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8031-H(TE12LQM)
仓库库存编号:
TPC8031-H(TE12LQM)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8038-H(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8038-H(TE12L,Q)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 20A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 1.6W(Ta),30W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8023-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8023-H(TE12LQM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 24A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta) 1.6W(Ta),30W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8031-H(TE12L,Q
仓库库存编号:
TPCA8031-H(TE12L,Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 3.1A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2343DS-T1
仓库库存编号:
SI2343DS-T1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 780mW(Ta),1.8W(Tc) 4-Microfoot
型号:
SI8467DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8467DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8467DB-T2-E1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 220V 8.4A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7302DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7302DN-T1-GE3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 6A(Tc) 1.75W(Ta),50W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD6N20ET5G
仓库库存编号:
MTD6N20ET5G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Tc) 2W(Ta),20W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
2SK3793-AZ
仓库库存编号:
2SK3793-AZ-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 6.3A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 6.3A(Ta) 2.8W(Ta) 6-DFN-EP(2x2)
型号:
AON2407
仓库库存编号:
785-1393-1-ND
别名:785-1393-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 50A(Tc) 91W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP150N10A
仓库库存编号:
FDP150N10A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 8A(Ta) 3W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4415
仓库库存编号:
785-1550-1-ND
别名:785-1550-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 21nC @ 10V,
无铅
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