产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RZL035P01TR
仓库库存编号:
RZL035P01CT-ND
别名:RZL035P01CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 800V SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
CPC3980ZTR
仓库库存编号:
CLA4159-1-ND
别名:CLA4159-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5mA(Ta) 2.5W(Ta) SOT-223
型号:
CPC5603CTR
仓库库存编号:
CLA299CT-ND
别名:CLA299CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
详细描述:N 沟道 500mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP298H6327XUSA1
仓库库存编号:
BSP298H6327XUSA1CT-ND
别名:BSP298H6327XUSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 22A SOT428
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta) 20W(Ta) CPT3
型号:
RSD220N06TL
仓库库存编号:
RSD220N06TLCT-ND
别名:RSD220N06TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
型号:
DN2535N3-G
仓库库存编号:
DN2535N3-G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 160mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN0124A
仓库库存编号:
ZVN0124A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 450mA(Ta) 700mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN4210A
仓库库存编号:
ZVN4210A-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 330mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0606L-G
仓库库存编号:
VN0606L-G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0620N3-G
仓库库存编号:
TN0620N3-G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 230mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN1206L-G
仓库库存编号:
VN1206L-G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 180mA(Tj) 1W(Ta) TO-92-3
型号:
TP2640N3-G
仓库库存编号:
TP2640N3-G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 540mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2224N3-G
仓库库存编号:
VN2224N3-G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
详细描述:通孔 3A(Tc)(95°C) 15W(Tc) TO-247AB
型号:
GA03JT12-247
仓库库存编号:
1242-1164-ND
别名:1242-1164
GA03JT12247
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 58A(Tc) 730W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APL502LG
仓库库存编号:
APL502LG-ND
别名:APL502LGMI
APL502LGMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP2120G4TA
仓库库存编号:
ZXMP2120G4CT-ND
别名:ZXMP2120G4CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 86mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
型号:
TP2535N3-G
仓库库存编号:
TP2535N3-G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Ta) LPTS
型号:
RSJ800N06TL
仓库库存编号:
RSJ800N06TLCT-ND
别名:RSJ800N06TLCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI26N60M2
仓库库存编号:
497-16517-5-ND
别名:497-16517-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STF26N60M2
仓库库存编号:
497-16514-5-ND
别名:497-16514-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Ta) 50W(Tc) TO-220FM
型号:
R6010ANX
仓库库存编号:
R6010ANX-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 45A
详细描述:45A(Tc) 282W(Tc)
型号:
GA20JT12-263
仓库库存编号:
1242-1189-ND
别名:1242-1189
GA20JT12-247ISO
GA20JT12247ISO
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
详细描述:通孔 8A(Tc)(90°C) 48W(Tc) TO-247AB
型号:
GA08JT17-247
仓库库存编号:
1242-1135-ND
别名:1242-1135
GA08JT17247
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3J35MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3J35MFVL3FCT-ND
别名:SSM3J35MFV(TL3T)CT
SSM3J35MFV(TL3T)CT-ND
SSM3J35MFVL3FCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 500mW(Ta) CST3C
型号:
SSM3K15ACTC,L3F
仓库库存编号:
SSM3K15ACTCL3FCT-ND
别名:SSM3K15ACTCL3FCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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