产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (7)
IXYS (170)
Microsemi Corporation (63)
Fairchild/ON Semiconductor (5)
STMicroelectronics (17)
Taiwan Semiconductor Corporation (7)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (12)
Cree/Wolfspeed (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 700W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX22N100L
仓库库存编号:
IXTX22N100L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 28A(Tc) 780W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN32N100Q3
仓库库存编号:
IXFN32N100Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 18A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APL1001J
仓库库存编号:
APL1001J-ND
别名:APL1001JMI
APL1001JMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 20A(Tc) 520W(Tc) SP1
型号:
APTML100U60R020T1AG
仓库库存编号:
APTML100U60R020T1AG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3
型号:
STW13NK100Z
仓库库存编号:
497-3556-5-ND
别名:497-3556-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1.85A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP2NK100Z
仓库库存编号:
497-7518-5-ND
别名:497-7518-5
STP2NK100Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 145A(Tc) 3250W(Tc) SP6
型号:
APTM100UM65SAG
仓库库存编号:
APTM100UM65SAG-ND
别名:APTM100UM65SAGMI
APTM100UM65SAGMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Tc) 25W(Tc) TO-252AA
型号:
IXTY01N100
仓库库存编号:
IXTY01N100-ND
别名:490458
IXTY01N100CT
IXTY01N100CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH SIC 1KV 35A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 113.5W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0065100J
仓库库存编号:
C3M0065100J-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 24A(Tc) 568W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN24N100
仓库库存编号:
IXFN24N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 41A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 42A(Tc) 960W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT41F100J
仓库库存编号:
APT41F100J-ND
别名:APT41F100JMI
APT41F100JMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
IXTY1R6N100D2
仓库库存编号:
IXTY1R6N100D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1.5A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1N100
仓库库存编号:
IXTP1N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP6N100D2
仓库库存编号:
IXTP6N100D2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH6N100Q
仓库库存编号:
IXFH6N100Q-ND
别名:478547
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 24A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 1000W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK24N100Q3
仓库库存编号:
IXFK24N100Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 1560W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB44N100Q3
仓库库存编号:
IXFB44N100Q3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 30A(Tc) 800W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN30N100L
仓库库存编号:
IXTN30N100L-ND
别名:Q3424174
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 37A(Tc) 694W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10021JFLL
仓库库存编号:
APT10021JFLL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 2.3A(Tc) 42W(Tc) TO-220 隔离的标片
型号:
IXFP5N100PM
仓库库存编号:
IXFP5N100PM-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 20A(Tc) 460W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT19F100J
仓库库存编号:
APT19F100J-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.85A(Tc) 77W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM2N100CP ROG
仓库库存编号:
TSM2N100CP ROGTR-ND
别名:TSM2N100CP ROGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.85A(Tc) 77W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM2N100CP ROG
仓库库存编号:
TSM2N100CP ROGCT-ND
别名:TSM2N100CP ROGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.85A(Tc) 77W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM2N100CP ROG
仓库库存编号:
TSM2N100CP ROGDKR-ND
别名:TSM2N100CP ROGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 99W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM3N100CP ROG
仓库库存编号:
TSM3N100CP ROGTR-ND
别名:TSM3N100CP ROGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号