产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100DA40T1G
仓库库存编号:
APTM100DA40T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 20A(Tc) 357W(Tc) SP1
型号:
APTM100SK40T1G
仓库库存编号:
APTM100SK40T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 65A J3
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 65A(Tc) 1250W(Tc) 模块
型号:
APTM100U13SG
仓库库存编号:
APTM100U13SG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 15A(Tc) 543W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV15N100P
仓库库存编号:
IXFV15N100P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 15A(Tc) 543W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV15N100PS
仓库库存编号:
IXFV15N100PS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 4A(Ta) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
2SK1119(F)
仓库库存编号:
2SK1119(F)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 12A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N100F
仓库库存编号:
IXFH12N100F-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N100
仓库库存编号:
IXFH14N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10.5A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT1001R1BN
仓库库存编号:
APT1001R1BN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 11A(Tc) 310W(Tc) TO-247AD
型号:
APT1001RBN
仓库库存编号:
APT1001RBN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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IXYS
MOSFET N-CH TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 14A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH14N100Q
仓库库存编号:
IXFH14N100Q-ND
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