产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
STP3NB100
仓库库存编号:
497-2641-5-ND
别名:497-2641-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 7.3A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
STW8NB100
仓库库存编号:
497-2646-5-ND
别名:497-2646-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
含铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
STP4NB100
仓库库存编号:
497-2647-5-ND
别名:497-2647-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 2.5A(Tc) 90W(Tc) TO-220AB
型号:
STP3NK100Z
仓库库存编号:
497-7524-5-ND
别名:497-7524-5
STP3NK100Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG30
仓库库存编号:
IRFPG30-ND
别名:*IRFPG30
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 6.1A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG50
仓库库存编号:
IRFPG50-ND
别名:*IRFPG50
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 1.4A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG20
仓库库存编号:
IRFBG20-ND
别名:*IRFBG20
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 3.1A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG30
仓库库存编号:
IRFBG30-ND
别名:*IRFBG30
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH10N100
仓库库存编号:
IXFH10N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 4.3A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPG40
仓库库存编号:
IRFPG40-ND
别名:*IRFPG40
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 1.4A(Ta) I2PAK
型号:
IRFBG20L
仓库库存编号:
IRFBG20L-ND
别名:*IRFBG20L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1000V TO-220-3
型号:
IRFIBG20G
仓库库存编号:
IRFIBG20G-ND
别名:*IRFIBG20G
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 10A(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR12N100
仓库库存编号:
IXFR12N100-ND
别名:Q1157068A
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 12.5A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT13N100
仓库库存编号:
IXFT13N100-ND
别名:Q2093962
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N100TF
仓库库存编号:
FQD2N100TF-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 28A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10035B2LLG
仓库库存编号:
APT10035B2LLG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 4A(Tc) 139W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT1003RKLLG
仓库库存编号:
APT1003RKLLG-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 5A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT5F100K
仓库库存编号:
APT5F100K-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 6A(Tc) 225W(Tc) TO-220 [K]
型号:
APT6M100K
仓库库存编号:
APT6M100K-ND
别名:APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 22A I4-PAC
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 22A(Tc) ISOPLUS i4-PAC?
型号:
IXFF24N100
仓库库存编号:
IXFF24N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 38A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN38N100Q2
仓库库存编号:
IXFN38N100Q2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 12A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXFT12N100Q
仓库库存编号:
IXFT12N100Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 15A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT15N100Q
仓库库存编号:
IXFT15N100Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1000V 1.5A(Tc) 60W(Tc) TO-268
型号:
IXTT1N100
仓库库存编号:
IXTT1N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 40A(Tc) 657W(Tc) SP1
型号:
APTM100DA18T1G
仓库库存编号:
APTM100DA18T1G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 1000V,
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