产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (304)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R190C6XKSA1-ND
别名:IPA65R190C6
IPA65R190C6-ND
SP000863892
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R190E6XKSA1
仓库库存编号:
IPA65R190E6XKSA1-ND
别名:IPA65R190E6
IPA65R190E6-ND
SP000863904
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R190C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R190C6XKSA1-ND
别名:IPI65R190C6
IPI65R190C6-ND
SP000863900
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP06N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP06N60C3HKSA1-ND
别名:SP000014697
SPP06N60C3
SPP06N60C3-ND
SPP06N60C3IN
SPP06N60C3IN-ND
SPP06N60C3X
SPP06N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 21.3A(Tc) 195W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R165CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R165CFDAUMA1-ND
别名:SP000949254
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R420CFDFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R420CFDFKSA1-ND
别名:IPW65R420CFD
IPW65R420CFD-ND
SP000890686
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R190CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPB65R190CFDAATMA1-ND
别名:SP000928264
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11.4A(Tc) 104.2W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R310CFDFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R310CFDFKSA1-ND
别名:IPW65R310CFD
IPW65R310CFD-ND
SP000890688
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI65R150CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPI65R150CFDXKSA1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3
型号:
SPA15N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPA15N65C3XKSA1-ND
别名:SP000293730
SPA15N65C3
SPA15N65C3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI15N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI15N65C3XKSA1-ND
别名:SP000681002
SPI15N65C3
SPI15N65C3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R280C6FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R280C6FKSA1-ND
别名:IPW65R280C6
IPW65R280C6-ND
SP000785060
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13.4A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA15N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPA15N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000264432
SPA15N60CFD
SPA15N60CFD-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190CFDAAKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190CFDAAKSA1-ND
别名:SP000928266
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 19A(Tc) 92W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB60R120C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB60R120C7ATMA1-ND
别名:SP001385048
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R150CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPB65R150CFDAATMA1-ND
别名:SP000928270
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 18A(Ta) 101W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R125C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R125C7ATMA1-ND
别名:SP001080134
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 21A(Tc) 192W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R165CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R165CPAKSA1-ND
别名:IPI60R165CP
IPI60R165CP-ND
SP000276736
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW11N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000014534
SPW11N60CFD
SPW11N60CFD-ND
SPW11N60CFDIN
SPW11N60CFDIN-ND
SPW11N60CFDX
SPW11N60CFDXK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 13A(Tc) 72W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190C7XKSA1
仓库库存编号:
IPW65R190C7XKSA1-ND
别名:SP001080142
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190C6FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R190C6FKSA1-ND
别名:IPW65R190C6
IPW65R190C6-ND
SP000863902
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.2A(Tc) 151W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R190E6FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R190E6FKSA1-ND
别名:IPW65R190E6
IPW65R190E6-ND
SP000863906
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI20N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681006
SPI20N60C3
SPI20N60C3-ND
SPI20N60C3IN
SPI20N60C3IN-ND
SPI20N60C3X
SPI20N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 22.4A(Tc) 195.3W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R150CFDFKSA1
仓库库存编号:
IPW65R150CFDFKSA1-ND
别名:SP000907038
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000681060
SPP20N60CFD
SPP20N60CFD-ND
SPP20N60CFDIN
SPP20N60CFDIN-ND
SPP20N60CFDX
SPP20N60CFDXK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号