产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 28W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4C6ATMA1-ND
别名:SP001107078
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 15.1A (Tc) 118W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R400CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R400CEAUMA1-ND
别名:SP001466800
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 2.8A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4CFDATMA1-ND
别名:SP001117732
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.2A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R1K5CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R1K5CEXKSA1-ND
别名:SP001429484
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3A(Tc) 26.6W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL65R1K5C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL65R1K5C6SATMA1-ND
别名:SP001163086
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.9A(Tc) 36.7W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R950CFDATMA1-ND
别名:SP001117750
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R950C6ATMA1-ND
别名:SP001107082
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.2A(Tc) 34.7W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL65R1K0C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL65R1K0C6SATMA1-ND
别名:SP001163084
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPS03N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPS03N60C3BKMA1-ND
别名:SP000235877
SP000307418
SPS03N60C3
SPS03N60C3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU03N60C3BKMA1
仓库库存编号:
SPU03N60C3BKMA1-ND
别名:SP000095849
SPU03N60C3
SPU03N60C3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R600E6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R600E6BTMA1CT
IPD65R600E6CT
IPD65R600E6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R600E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R600E6ATMA1-ND
别名:SP001117096
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDBTMA1TR-ND
别名:IPD65R660CFD
IPD65R660CFD-ND
SP000745024
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDATMA1-ND
别名:SP001117748
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 31W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R400CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R400CEXKSA1-ND
别名:SP001429766
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6.7A(Tc) 56.8W(Tc) Thin-PAK(5x6)
型号:
IPL65R650C6SATMA1
仓库库存编号:
IPL65R650C6SATMA1-ND
别名:SP001163082
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R600E6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R600E6AKMA1-ND
别名:SP001273092
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 63W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R660E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R660E6AUMA1-ND
别名:SP000895212
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R600C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R600C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R600C6CT
IPB65R600C6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R380E6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R380E6BTMA1CT
IPD65R380E6CT
IPD65R380E6CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R380E6ATMA1-ND
别名:SP001117736
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R420CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R420CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R420CFDCT
IPD65R420CFDCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 8.7A(Tc) 83.3W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R420CFDATMA1
仓库库存编号:
IPD65R420CFDATMA1-ND
别名:SP001117738
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 5.8A(Tc) 62.5W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R725CFDAUMA1
仓库库存编号:
IPL65R725CFDAUMA1-ND
别名:SP000949266
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 6A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R660CFDAATMA1
仓库库存编号:
IPD65R660CFDAATMA1-ND
别名:SP000928260
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
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