产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
Infineon Technologies (304)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R180P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R180P7SXKSA1-ND
别名:SP001606072
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP60R180P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R180P7XKSA1-ND
别名:SP001606038
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R180P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R180P7XKSA1-ND
别名:SP001606042
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 30W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R600P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R600P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R360P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R360P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R360P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10A VSON-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 46W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R365P7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R365P7AUMA1CT-ND
别名:IPL60R365P7AUMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R180P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R180P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R180P7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R225C7ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R225C7ATMA1CT-ND
别名:IPD65R225C7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 13A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 72W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R190C7ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R190C7ATMA1CT-ND
别名:IPD65R190C7ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB20N60C3
仓库库存编号:
SPB20N60C3INCT-ND
别名:SPB20N60C3INCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 415W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW47N60C3
仓库库存编号:
SPW47N60C3IN-ND
别名:SP000013953
SPW47N60C3FKSA1
SPW47N60C3IN
SPW47N60C3X
SPW47N60C3XK
SPW47N60C3XTIN
SPW47N60C3XTIN-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 446W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW65R019C7FKSA1
仓库库存编号:
IPW65R019C7FKSA1-ND
别名:SP000928646
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD06N60C3BTMA1
仓库库存编号:
SPD06N60C3BTMA1CT-ND
别名:SPD06N60C3INCT
SPD06N60C3INCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17.5A(Tc) 151W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R190CFDXKSA1
仓库库存编号:
IPP65R190CFDXKSA1-ND
别名:IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681040
SPP11N60C3
SPP11N60C3BKSA1
SPP11N60C3IN
SPP11N60C3IN-ND
SPP11N60C3X
SPP11N60C3XIN
SPP11N60C3XIN-ND
SPP11N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 24.3A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24.3A(Tc) 240W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW24N60C3
仓库库存编号:
SPW24N60C3IN-ND
别名:SP000014695
SPW24N60C3-ND
SPW24N60C3FKSA1
SPW24N60C3IN
SPW24N60C3X
SPW24N60C3XK
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 28W(Tc) TO-220 整包
型号:
IPA65R650CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R650CEXKSA1-ND
别名:SP001295804
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R950C6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R950C6AKMA1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 36.7W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950CFDBTMA1
仓库库存编号:
IPD65R950CFDBTMA1CT-ND
别名:IPD65R950CFDBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 25A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R125CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R125CPXKSA1-ND
别名:IPI60R125CP
IPI60R125CP-ND
SP000297355
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 2.6A(Tc) 29W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R3K4CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R3K4CEAUMA1-ND
别名:SP001422856
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.2A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K0CEAUMA1-ND
别名:SP001421368
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-251
型号:
IPS65R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001276048
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEAUMA1-ND
别名:SP001396908
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.1A(Tc) 86W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R650CEATMA1
仓库库存编号:
IPD65R650CEATMA1-ND
别名:SP001295798
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 650V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号