产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7A(Tc) 210W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA7N90M_F109
仓库库存编号:
FQA7N90M_F109-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 7.4A(Tc) 198W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA7N90_F109
仓库库存编号:
FQA7N90_F109-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Tc) 68W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N90C
仓库库存编号:
FQPF9N90C-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Tc) 56W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N90CT
仓库库存编号:
FQPF6N90CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.1A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N90_NL
仓库库存编号:
FQPF3N90_NL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 900V 1A DP
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 1A(Ta) 40W(Tc) DP
型号:
2SK2845(TE16L1,Q)
仓库库存编号:
2SK2845(TE16L1,Q)-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 900V 43A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN52N90P
仓库库存编号:
IXFN52N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 12A(Tc) 380W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV12N90P
仓库库存编号:
IXFV12N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 18A(Tc) 540W(Tc) PLUS220
型号:
IXFV18N90P
仓库库存编号:
IXFV18N90P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 12A(Tc) 380W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV12N90PS
仓库库存编号:
IXFV12N90PS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 18A(Tc) 540W(Tc) PLUS-220SMD
型号:
IXFV18N90PS
仓库库存编号:
IXFV18N90PS-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 10A TO-3PB
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Ta) 2.5W(Ta),190W(Tc) TO-3PB
型号:
2SK4210
仓库库存编号:
2SK4210-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.1A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4.1A(Ta) 2W(Ta),37W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4001
仓库库存编号:
BFL4001-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.5A(Ta) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4026
仓库库存编号:
BFL4026-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 10A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 403W(Tc) TO-247
型号:
AOK10N90
仓库库存编号:
AOK10N90-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 900V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 10A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF10N90
仓库库存编号:
AOTF10N90-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3A(Ta) 80W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1339-E
仓库库存编号:
2SK1339-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1340-E
仓库库存编号:
2SK1340-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1341-E
仓库库存编号:
2SK1341-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 100W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1342-E
仓库库存编号:
2SK1342-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 8A(Ta) 60W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1775-E
仓库库存编号:
2SK1775-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 6A(Ta) 60W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1859-E
仓库库存编号:
2SK1859-E-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4A(Tc) 38.7W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M004A090FH
仓库库存编号:
GP1M004A090FH-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 4A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 4A(Tc) 123W(Tc) TO-220
型号:
GP1M004A090H
仓库库存编号:
GP1M004A090H-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 900V 9A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 9A(Tc) 290W(Tc) TO-220
型号:
GP1M009A090H
仓库库存编号:
GP1M009A090H-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 900V,
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