产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB017N06N3 G
仓库库存编号:
IPB017N06N3 GCT-ND
别名:IPB017N06N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3006GPBF
仓库库存编号:
IRFB3006GPBF-ND
别名:SP001577692
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 71A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 71A(Tc) 46W(Tc) TO-220
型号:
IRFI3306GPBF
仓库库存编号:
IRFI3306GPBF-ND
别名:SP001556626
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 380W(Tc) TO-262
型号:
IRLSL3036PBF
仓库库存编号:
IRLSL3036PBF-ND
别名:SP001559028
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL3006PBF
仓库库存编号:
IRFSL3006PBF-ND
别名:SP001573396
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS7728NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS7728NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSS7728N H6327CT
BSS7728N H6327CT-ND
BSS7728NH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3206GPBF
仓库库存编号:
IRFB3206GPBF-ND
别名:SP001565784
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 620mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR315PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSR315PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSR315PH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR606NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSR606NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSR606NH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Tj) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP320SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP320SH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP320SH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7530TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7530TRLPBFCT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
IRL60S216
仓库库存编号:
IRL60S216CT-ND
别名:IRL60S216CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 257A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP3006PBF
仓库库存编号:
IRFP3006PBF-ND
别名:SP001556714
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 375W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL60SL216
仓库库存编号:
IRL60SL216-ND
别名:IRL60SL216 -ND
SP001558100
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002NH6327XTSA1
仓库库存编号:
SN7002NH6327XTSA1CT-ND
别名:SN7002NH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138NH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS138NH6433XTMA1CT-ND
别名:BSS138NH6433XTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL606SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL606SNH6327XTSA1CT-ND
别名:BSL606SNH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tj) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP318SH6327XTSA1CT-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD220N06L3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD220N06L3GBTMA1CT-ND
别名:IPD220N06L3GBTMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 36W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N06S4L23ATMA2
仓库库存编号:
IPD30N06S4L23ATMA2CT-ND
别名:IPD30N06S4L23ATMA2CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 29A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD350N06LGBTMA1
仓库库存编号:
IPD350N06LGBTMA1CT-ND
别名:IPD350N06LGBTMA1CT
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 2.1W(Ta),50W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ110N06NS3 G
仓库库存编号:
BSZ110N06NS3GINCT-ND
别名:BSZ110N06NS3GINCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 2.1W(Ta),36W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ100N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ100N06NSATMA1CT-ND
别名:BSZ100N06NSATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.44A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO613SPV G
仓库库存编号:
BSO613SPV GCT-ND
别名:BSO613SPV GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD079N06L3 G
仓库库存编号:
IPD079N06L3 GCT-ND
别名:IPD079N06L3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:Infineon Technologies,规格:漏源电压(Vdss) 60V,
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