产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
筛选品牌
NXP USA Inc. (97)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.4A(Tc) 280mW(Tj) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV45EN,215
仓库库存编号:
568-2356-1-ND
别名:568-2356-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 68A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 68A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH7030L,115
仓库库存编号:
568-2349-1-ND
别名:568-2349-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.9A(Tc) 1.9W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV40UN,215
仓库库存编号:
568-2355-1-ND
别名:568-2355-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 84A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH4830L,115
仓库库存编号:
PH4830L,115-ND
别名:934061157115
PH4830L T/R
PH4830L T/R-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 80A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH5330E,115
仓库库存编号:
568-2348-1-ND
别名:568-2348-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 830mA(Ta) 560mW(Tc) SOT-323-3
型号:
PMF400UN,115
仓库库存编号:
568-3244-1-ND
别名:568-3244-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.7A(Tc) 280mW(Tj) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV60EN,215
仓库库存编号:
568-2357-1-ND
别名:568-2357-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Tc) 41W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN013-30LL,115
仓库库存编号:
568-5307-1-ND
别名:568-5307-1
PSMN01330LL115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Tc) 37W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN017-30LL,115
仓库库存编号:
568-5580-1-ND
别名:568-5580-1
PSMN01730LL115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 71W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN3R5-30LL,115
仓库库存编号:
568-5591-1-ND
别名:568-5591-1
PSMN3R530LL115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 55W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN5R8-30LL,115
仓库库存编号:
568-5593-1-ND
别名:568-5593-1
PSMN5R830LL115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R8-30C,118
仓库库存编号:
568-5854-1-ND
别名:568-5854-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 840mA(Tc) 530mW(Tc) SC-75
型号:
PMR370XN,115
仓库库存编号:
568-6869-1-ND
别名:568-6869-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 51A(Tj) 49W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN011-30YL,115
仓库库存编号:
568-6902-1-ND
别名:568-6902-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 78A(Tc) 63W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN5R9-30YL,115
仓库库存编号:
568-6903-1-ND
别名:568-6903-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 62A(Tc) 56W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN8R0-30YL,115
仓库库存编号:
568-6904-1-ND
别名:568-6904-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 0.8A SOT416
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 800mA(Tc) 530mW(Tc) SC-75
型号:
PMR400UN,115
仓库库存编号:
568-7438-1-ND
别名:568-7438-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.4A(Tc) 1.75W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN40LN,135
仓库库存编号:
568-7422-1-ND
别名:568-7422-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.4A(Tc) 1.75W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN38EN,135
仓库库存编号:
568-7421-1-ND
别名:568-7421-1
PMN38EN135
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.6A(Tc) 1.75W(Tc) 6-TSOP
型号:
PMN49EN,135
仓库库存编号:
568-7424-1-ND
别名:568-7424-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 54A LL LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 54A(Tc) 42W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN8R0-30YLC,115
仓库库存编号:
568-7591-1-ND
别名:568-7591-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.7A(Tj) 545mW(Ta) 6-TSOP
型号:
PMN20EN,115
仓库库存编号:
568-8416-1-ND
别名:568-8416-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK761R3-30E,118
仓库库存编号:
568-9564-1-ND
别名:568-9564-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK961R4-30E,118
仓库库存编号:
568-9568-1-ND
别名:568-9568-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
详细描述:N 沟道 30V
型号:
PHL5830AL,115
仓库库存编号:
568-9612-1-ND
别名:568-9612-1
PHL5830AL115
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:NXP USA Inc.,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号