产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF510PBF
仓库库存编号:
IRF510PBF-ND
别名:*IRF510PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD120PBF
仓库库存编号:
IRFD120PBF-ND
别名:*IRFD120PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0610N3-G
仓库库存编号:
TN0610N3-G-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 22A(Tc) 3.75W(Ta),125W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB22P10TM
仓库库存编号:
FQB22P10TMCT-ND
别名:FQB22P10TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
RFP12N10L
仓库库存编号:
RFP12N10L-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540NPBF
仓库库存编号:
IRF540NPBF-ND
别名:*IRF540NPBF
64-0092PBF
64-0092PBF-ND
SP001561906
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.9A(Ta),90A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC060N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC060N10NS3 GCT
BSC060N10NS3 GCT-ND
BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC040N10NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC040N10NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC040N10NS5ATMA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 8.1A(Tc) 30W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI520NPBF
仓库库存编号:
IRLI520NPBF-ND
别名:*IRLI520NPBF
SP001576820
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 8.3W(Ta),83W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD35N10-26P-GE3
仓库库存编号:
SUD35N10-26P-GE3CT-ND
别名:SUD35N10-26P-GE3CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530PBF
仓库库存编号:
IRF530PBF-ND
别名:*IRF530PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL520PBF
仓库库存编号:
IRL520PBF-ND
别名:*IRL520PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRL520NSPBF
仓库库存编号:
IRL520NSPBF-ND
别名:*IRL520NSPBF
SP001568426
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.8A(Ta),100A(Tc) 156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC082N10LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC082N10LSGATMA1CT-ND
别名:BSC082N10LS GCT
BSC082N10LS GCT-ND
BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 103W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN027-100PS,127
仓库库存编号:
1727-4658-ND
别名:1727-4658
568-5775
568-5775-5
568-5775-5-ND
568-5775-ND
934064326127
PSMN027-100PS,127-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 23A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9540NPBF
仓库库存编号:
IRF9540NPBF-ND
别名:*IRF9540NPBF
64-0103PBF
64-0103PBF-ND
SP001560174
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510SPBF
仓库库存编号:
IRF510SPBF-ND
别名:*IRF510SPBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB042N10N3 G
仓库库存编号:
IPB042N10N3 GCT-ND
别名:IPB042N10N3 GCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL510PBF
仓库库存编号:
IRL510PBF-ND
别名:*IRL510PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5210STRLPBF
仓库库存编号:
IRF5210STRLPBFCT-ND
别名:IRF5210STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9610-100B,118
仓库库存编号:
1727-5261-1-ND
别名:1727-5261-1
568-6586-1
568-6586-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI530NPBF
仓库库存编号:
IRLI530NPBF-ND
别名:*IRLI530NPBF
SP001573830
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL530PBF
仓库库存编号:
IRL530PBF-ND
别名:*IRL530PBF
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tj) 296W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN7R6-100BSEJ
仓库库存编号:
1727-1104-1-ND
别名:1727-1104-1
568-10259-1
568-10259-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL540NPBF
仓库库存编号:
IRL540NPBF-ND
别名:*IRL540NPBF
SP001576440
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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